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	A radiation harden enhanced Quatro (RHEQ) SRAM cell
	Liu,Changyong; Zhang,Jingbo; Chen,Ziyang; Peng,Chunyu; Lin,Zhiting; Wu,Xiulong; Xiao,Songsong
刊名	IEICE ELECTRONICS EXPRESS
	2017
卷号	Vol.14 No.18
关键词	LATCH DESIGN TOLERANT TECHNOLOGY UPSET SEU
ISSN号	1349-2543
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2155515
专题	安徽大学
作者单位	1.Anhui Univ, Sch Elect & Informat Engn, Hefei 230601, Anhui, Peoples R China 2.Minist Ind & Informat Technol Peoples Republ Chin, Ind Dev & Promot Ctr, Beijing 100804, Peoples R China
推荐引用方式 GB/T 7714	Liu,Changyong,Zhang,Jingbo,Chen,Ziyang,et al. A radiation harden enhanced Quatro (RHEQ) SRAM cell[J]. IEICE ELECTRONICS EXPRESS,2017,Vol.14 No.18.
APA	Liu,Changyong.,Zhang,Jingbo.,Chen,Ziyang.,Peng,Chunyu.,Lin,Zhiting.,...&Xiao,Songsong.(2017).A radiation harden enhanced Quatro (RHEQ) SRAM cell.IEICE ELECTRONICS EXPRESS,Vol.14 No.18.
MLA	Liu,Changyong,et al."A radiation harden enhanced Quatro (RHEQ) SRAM cell".IEICE ELECTRONICS EXPRESS Vol.14 No.18(2017).

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