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山东大学 [21]
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期刊论文 [16]
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专利 [1]
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2018 [3]
2015 [1]
2012 [1]
2010 [1]
2008 [2]
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专题:山东大学
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一种高频半导体薄膜场效应管
专利
申请日期: 2019-02-12, 公开日期: 2019-02-12
作者:
王一鸣
;
梁广大
;
宋爱民
;
辛倩
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/01/04
Reactive evaporation of SiOx films for passivation of GaN high-electron-mobility transistors
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 2019, 卷号: 129, 页码: 54-60
作者:
Zhu, Gengchang
;
Liang, Guangda
;
Zhou, Yang
;
Chen, Xiufang
;
Xu, Xiangang
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/12/11
Reactive evaporation
SiOx
Passivation
GaN
HEMTs
Low-temperature fabrication of HfAlO alloy dielectric using atomic-layer deposition and its application in a low-power device
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 页码: 543-549
作者:
Ma, Pengfei
;
Sun, Jiamin
;
Zhang, Guanqun
;
Liang, Guangda
;
Xin, Qian
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/11
Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe
期刊论文
Applied Physics Letters, 2019, 卷号: 115, 期号: 3
作者:
Wang, Yiming
;
Zhang, Jiawei
;
Liang, Guangda
;
Shi, Yanpeng
;
Zhang, Yifei
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/11
High-Performance InGaZnO-Based ReRAMs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 2600-2605
作者:
Ma, Pengfei
;
Liang, Guangda
;
Wang, Yiming
;
Li, Yunpeng
;
Xin, Qian
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2019/12/11
Electrode
indium-gallium-zinc oxide (IGZO)
memory window
oxygen
plasma
resistive random access memories (ReRAMs)
retention time
Low-temperature fabrication of HfAlO alloy dielectric using atomic-layer deposition and its application in a low-power device
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 卷号: 792, 页码: 543-549
作者:
Ma, Pengfei
;
Sun, Jiamin
;
Zhang, Guanqun
;
Liang, Guangda
;
Xin, Qian
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/11
HfAlO
High-k
Gate insulator
A-InGaZnO
Thin-film transistor
Atomic
layer deposition
Low-power device
Mass fabrication and superior microwave absorption property of multilayer graphene/hexagonal boron nitride nanoparticle hybrids
期刊论文
NPJ 2D MATERIALS AND APPLICATIONS, 2019, 卷号: 3
作者:
Bai, Yongqing
;
Zhong, Bo
;
Yu, Yuanlie
;
Wang, Meng
;
Zhang, Jing
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/11
Reactive evaporation of SiOx films for passivation of GaN high-electron-mobility transistors
期刊论文
Journal of Physics and Chemistry of Solids, 2019, 卷号: 129, 页码: 54-60
作者:
Zhu, Gengchang
;
Liang, Guangda
;
Zhou, Yang
;
Chen, Xiufang
;
Xu, Xiangang
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/12/11
Ga2O3 Field-Effect-Transistor-Based Solar-Blind Photodetector With Fast Response and High Photo-to-Dark Current Ratio
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 卷号: 39, 期号: 11, 页码: 1696-1699
作者:
Liu, Yaxuan
;
Du, Lulu
;
Liang, Guangda
;
Mu, Wenxiang
;
Jia, Zhitai
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/11
Gallium oxide (Ga2O3)
filed-effect-transistor (FET)
solar-blind
photodetector
Half-volt operation of IGZO thin-film transistors enabled by ultrathin HfO2 gate dielectric
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 113, 期号: 6
作者:
Ma, Pengfei
;
Sun, Jiamin
;
Liang, Guangda
;
Li, Yunpeng
;
Xin, Qian
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/11
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