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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法 专利 专利号: CN200710178316.X, 申请日期: 2010-01-13, 公开日期: 2009-06-03 作者:  程伟;  于进勇;  刘新宇;  金智;  夏洋 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 一种制作T型HBT发射极/HEMT栅的方法 专利 专利号: CN200710117615.2, 公开日期: 2008-12-24 作者:  程伟;  夏洋;  于进勇;  金智;  刘新宇 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法 专利 专利号: CN200710117614.8, 公开日期: 2008-12-24 作者:  程伟;  夏洋;  于进勇;  金智;  刘新宇 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2010/11/26 一种利用光敏胶层制作空气桥的方法 专利 专利号: CN200710064859.9, 公开日期: 2008-10-01 作者:  刘新宇;  夏洋;  于进勇;  金智;  程伟 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2010/11/26 磷化铟异质结双极型晶体管自对准发射极的制作方法 专利 专利号: CN200610089346.9, 公开日期: 2007-12-26 作者:  刘新宇;  于进勇;  夏洋 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2010/11/26 异质结双极晶体管T型发射极金属图形制作方法的改进 专利 专利号: CN200610003066.1, 公开日期: 2007-08-15 作者:  刘训春;  于进勇;  刘新宇;  王润梅;  魏珂 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26 一种制作异质结双极型晶体管的方法 专利 专利号: CN200710178322.5, 公开日期: 2009-06-03 作者:  金智;  于进勇;  刘新宇;  程伟;  夏洋 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2010/11/26