本发明公开了一种InP HBT自对准发射极的制作方法，包括：A.在 InP HBT外延层结构表面涂敷负性光刻胶，对涂敷的负性光刻胶进行曝光、 反转、显影处理，形成发射极窗口图形；B.在InP HBT外延层结构表面 蒸发/溅射发射极材料；C.将负性光刻胶及其上方沉积的发射极材料从InP HBT外延层结构表面剥离，形成发射极；D.以形成的发射极为掩模，腐 蚀InP HBT外延层结构的盖帽层和发射极层，形成发射极台面；E.在InP HBT外延层结构表面涂敷正性光刻胶，对涂敷的正性光刻胶进行曝光、显 影处理，形成基极窗口图形；F.在InP HBT外延层结构表面蒸发/溅射一 层金属电极材料；G.将正性光刻胶及其上方沉积的金属电极材料从InP HBT外延层结构表面剥离。