一种制作异质结双极型晶体管的方法

	一种制作异质结双极型晶体管的方法
	金智; 于进勇; 刘新宇; 程伟; 夏洋
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200710178322.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种制作异质结双极型晶体管(HBT)的方法，包括：在清洗后的制作了部分或全部三台面HBT的圆片A的一面上涂覆粘附剂，利用粘附工艺将圆片A粘附到圆片B上；去掉圆片A的衬底，留下HBT和需要的半导体材料层；制作HBT集电极和金属互联。利用本发明，减小了HBT集电极的寄生电容，提高了器件性能，同时避免了类似工艺过程中对器件的损伤。
公开日期	2009-06-03
申请日期	2007-11-28
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7722]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	金智,于进勇,刘新宇,等. 一种制作异质结双极型晶体管的方法. CN200710178322.5.