一种制作T型HBT发射极/HEMT栅的方法

	一种制作T型HBT发射极/HEMT栅的方法
	程伟; 夏洋; 于进勇; 金智; 刘新宇
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200710117615.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及半导体器件及集成电路制造工艺技术领域，公开了一种制作T型HBT发射极/HEMT栅的方法，该方法包括：在基片上涂一次光刻胶，并光刻、曝光、显影、定义T型HBT发射极/HEMT栅的下半部分；烘烤所述基片，使牺牲胶的边角圆滑并固化；涂二次光刻胶，并光刻、曝光、显影，制作T型HBT发射极/HEMT栅的上部分；蒸发、溅射或电镀一层金属，金属层的厚度大于一次光刻胶厚度；剥离去除不需要的金属以及所有光刻胶，形成T型HBT发射极/HEMT栅。利用本发明，工艺简单，成本低，可控性好，制作金属加厚的T型HBT发射极/HEMT栅更有优势。
公开日期	2008-12-24
申请日期	2007-06-20
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7948]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	程伟,夏洋,于进勇,等. 一种制作T型HBT发射极/HEMT栅的方法. CN200710117615.2.