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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2001 [2]
1998 [1]
1992 [1]
1991 [1]
学科主题
半导体物理 [5]
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学科主题:半导体物理
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The transition from Eu3+ to Eu2+ in SiO2(Eu) thin films prepared by ion implantation and co-sputtering
期刊论文
acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 532-535
Liu FZ
;
Zhu MF
;
Liu T
;
Li BC
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浏览/下载:165/50
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提交时间:2010/08/12
SiO2(Eu) films
XANES
SPECTROSCOPY
SILICON
VALENCE
GLASS
ER3+
Ion bombardment as the initial stage of diamond film growth
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: 1983-1985
Liao MY
;
Qin FG
;
Zhang JH
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Wang ZG
;
Lee ST
收藏
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浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2010/08/12
BIAS-ENHANCED NUCLEATION
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
BEAM DEPOSITION
MECHANISM
SILICON
SPECTROSCOPY
Intraband absorption in the 8-12 mu m band from Si-doped vertically aligned InGaAs/GaAs quantum-dot superlattice
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 25, 页码: 3706-3708
Zhuang QD
;
Li JM
;
Li HX
;
Zeng YP
;
Pan L
;
Chen YH
;
Kong MY
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2010/08/12
X-RAY-DIFFRACTION
INFRARED-ABSORPTION
SELF-ORGANIZATION
ISLANDS
WELL
SPECTROSCOPY
TRANSITIONS
LASERS
INP
INTERFACIAL REACTIONS IN THE CO/SI/GAAS AND SI/CO/GAAS SYSTEMS
期刊论文
journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films, 1992, 卷号: 10, 期号: 4, 页码: 1020-1028
HSU CC
;
JIN GL
;
HO J
;
CHEN WD
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/15
THIN-FILMS
GAAS
CO
SI
IDENTIFICATION OF THE ENERGY-LEVELS OF SI-RH
期刊论文
journal of applied physics, 1991, 卷号: 69, 期号: 4, 页码: 2251-2255
ZHOU J
;
WU JA
;
LU LW
;
HAN ZY
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/15
SILICON
IMPURITIES
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