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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improved light extraction of gan-based leds with nano-roughened p-gan surfaces 期刊论文 Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3448-3451 作者:  Gao Hai-Yong;  Yan Fa-Wang;  Fan Zhong-Chao;  Li Jin-Min;  Zeng Yi-Ping 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Improved light extraction of GaN-based LEDs with nano-roughened p-GaN surfaces 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3448-3451 Gao, HY; Yan, FW; Fan, ZC; Li, JM; Zeng, YP; Wang, GH 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2010/03/08 EMITTING-DIODES  EFFICIENCY  OUTPUT   Study on the perfection of in situ p-injection synthesis lec-inp single crystals 期刊论文 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 17-20 作者:  Zhou, XL;  Zhao, YW;  Sun, NF;  Yang, GY;  Xu, YQ 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Etch-pit density  Phosphorus-rich  Pl-mapping  Indium phosphide   Study on the perfection of in situ P-injection synthesis LEC-InP single crystals 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 17-20 作者:  Zhou XL 收藏  |  浏览/下载：440/157  |  提交时间：2010/03/09 etch-pit density   Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating inp wafers 期刊论文 Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 页码: 521-524 作者:  Zhao, YW;  Sun, NF;  Dong, HW;  Jiao, JH;  Zhao, JQ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Indium phosphide  Semi-insulating  Annealing  Picts  Photoluminescence   Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers 会议论文 9th international conference on defects: recognition, imaging and physics in semiconductors (drip ix), rimini, italy, sep 24-28, 2001 Zhao YW; Sun NF; Dong HW; Jiao JH; Zhao JQ; Sun TN; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/15 indium phosphide  semi-insulating  annealing  PICTS  photoluminescence  SEMIINSULATING INP  INDIUM-PHOSPHIDE  FE  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE   非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性 期刊论文 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 53-56 董宏伟; 赵有文; 焦景华; 赵建群; 林兰英 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 期号: 0, 页码: 521-524 Zhao YW; Sun NF; Dong HW; Jiao JH; Zhao JQ; Sun TN; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：82/19  |  提交时间：2010/08/12 indium phosphide  semi-insulating  annealing  PICTS  photoluminescence  SEMIINSULATING INP  INDIUM-PHOSPHIDE  FE  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE   Structure and photoluminescence of InGaAs self-assembled quantum dots grown on InP(001) 期刊论文 journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 1, 页码: 619-621 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  INJECTION  PATTERNS  ISLANDS