非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性
	董宏伟 ; 赵有文 ; 焦景华 ; 赵建群 ; 林兰英
刊名	半导体学报
	2002
卷号	23 期号:1 页码:53-56
中文摘要	对高温退火非掺磷化铟（InP）制备的半绝缘晶片的电学性质和均匀性进行了研究，非掺低阻N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行930 ℃、80h退火均可获得半绝缘材料。但在这两种条件下制备的两种50mm半绝缘晶片却呈现出不同的电学性质和均匀性。纯磷气氛下制备的磷化铟片的电阻率和迁移率分别达到10~6Ω·cm和1800cm~2/(V·s)；而在磷化铁气氛下退火获得的半绝缘片的电阻率和迁移率分别高达10~7Ω·cm和3000cm~2/(V·s)以上。对这两种半绝缘片和原生掺铁磷化铟半绝缘片的PL－Mapping结果进一步比较表明
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	中国科学院半导体研究所材料中心科研发展基金资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18105]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	董宏伟,赵有文,焦景华,等. 非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性[J]. 半导体学报,2002,23(1):53-56.
APA	董宏伟,赵有文,焦景华,赵建群,&林兰英.(2002).非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性.半导体学报,23(1),53-56.
MLA	董宏伟,et al."非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性".半导体学报 23.1(2002):53-56.