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XPS study of impurities in Si-doped AlN film 期刊论文
SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305-1309
作者:  Liang, F.;  Chen, P.;  Zhao, D. G.;  Jiang, D. S.;  Zhao, Z. J.
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AlN  XPS  MOCVD  
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
作者:  Liang, F.;  Chen, P.;  Zhao, D. G.;  Jiang, D. S.;  Zhao, Z. J.
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/12/29
Podłoże do wzrostu epitaksjalnego 专利
专利号: PL224995B1, 申请日期: 2016-08-11, 公开日期: 2017-02-28
作者:  PERLIN PIOTR;  SARZYŃSKI MARCIN;  SUSKI TADEUSZ;  CZERNECKI ROBERT;  LESZCZYŃSKI MICHAŁ
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一种硅基微腔激光器的制作方法 专利
专利号: CN103579902B, 申请日期: 2016-07-13, 公开日期: 2016-07-13
作者:  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  潘教青;  王圩
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一种GaN复合衬底制备方法 专利
专利号: CN105719946A, 申请日期: 2016-06-29, 公开日期: 2016-06-29
作者:  甘志银;  刘胜;  严晗;  汪沛;  吕强
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Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
杜文娜
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GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
何晓光
收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2016/06/02
GaN  HEMT  2DEG  MOCVD  高阻  
石墨烯在外延Ⅲ族氮化物中的应用研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
曾清
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InGaAs低维量子结构光电材料辐射效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016
作者:  玛丽娅·黑尼
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/12/19
硅基氮化镓材料MOCVD外延生长及器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2016
作者:  包琦龙
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/08/29

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