| 题名 | GaN HEMT 基础问题研究 |
| 作者 | 何晓光 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2016-05-28 |
| 授予单位 | 中国科学院大学 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 赵德刚 |
| 关键词 | GaN HEMT 2DEG MOCVD 高阻 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体材料 ; 半导体器件 |
| 公开日期 | 2016-06-02 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27154]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何晓光. GaN HEMT 基础问题研究[D]. 北京. 中国科学院大学. 2016. |
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