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| 使源/漏区更接近沟道区的MOS器件及其制作方法 专利
专利号: CN201210089963.4, 申请日期: 2015-12-16, 公开日期: 2013-10-23
作者: 秦长亮; 叶甜春 ; 殷华湘
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210065168.1, 申请日期: 2015-12-02, 公开日期: 2013-09-18
作者: 叶甜春; 朱慧珑; 李春龙; 罗军; 钟汇才
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| 一种双鳍型半导体结构及其制造方法 专利
专利号: CN201110306988.0, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2013-04-17
作者: 朱慧珑; 尹海洲; 骆志炯
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| 低源漏接触电阻MOSFETS及其制造方法 专利
专利号: CN201110264987.4, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2013-03-27
作者: 罗军; 赵超
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| P型MOSFET的制造方法 专利
专利号: US9196706, 申请日期: 2015-11-24, 公开日期: 2014-06-05
作者: 徐秋霞; 叶甜春; 朱慧珑; 周华杰; 许高博
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| 喷墨打印太阳能电池片栅线电极三维形貌工艺优化研究 学位论文
博士, 中国科学院沈阳自动化研究所: 中国科学院沈阳自动化研究所, 2015
作者: 张磊
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| 半导体器件 专利
专利号: CN204760374U, 申请日期: 2015-11-11, 公开日期: 2015-11-11
作者: 强欢
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| 一种基于场效应管的低噪声源的电路设计方法 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2015-10-29, 公开日期: 2016-04-26
作者: 董帅; 王振占; 陆浩; 刘璟怡; 李彬
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| 双金属栅极CMOS器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210129587.7, 申请日期: 2015-10-14, 公开日期: 2013-10-30
作者: 殷华湘; 付作振; 徐秋霞; 陈大鹏
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| 一种半导体结构及其制造方法 专利
专利号: CN201110053301.7, 申请日期: 2015-09-30, 公开日期: 2012-09-05
作者: 骆志炯; 尹海洲; 蒋葳; 朱慧珑
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