一种基于场效应管的低噪声源的电路设计方法 | |
董帅; 王振占; 陆浩; 刘璟怡; 李彬 | |
2015-10-29 | |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明专利 |
中文摘要 | 本发明提供了一种基于场效应管的低噪声源的电路设计方法,该电路设计方法从低噪声系数入手,在场效应管的漏极端接终端负载,从场效应管的栅极获得输出信号至外部系统,使得信号流方向为漏极入栅极出,同时通过设计输入输出偏置和匹配网络对系统和终端负载的阻抗进行变换,使之在场效应管的栅极和漏极呈现出原件需要的ΓS和ΓL,再通过适当的电路设计,获得噪声温度极低的信号。 |
分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
公开日期 | 2016-04-26 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN201510717953.4 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.nssc.ac.cn/handle/122/5383] |
专题 | 国家空间科学中心_微波遥感部 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 董帅,王振占,陆浩,等. 一种基于场效应管的低噪声源的电路设计方法. 2015-10-29. |
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