P型MOSFET的制造方法

	P型MOSFET的制造方法
	徐秋霞; 叶甜春; 朱慧珑; 周华杰; 许高博; 梁擎擎
	2015-11-24
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	US9196706
国家	美国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种P型MOSFET的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上形成MOSFET的一部分，包括位于半导体衬底中的源/漏区、在半导体衬底上方位于源/漏区之间的假栅叠层、以及围绕假栅叠层的栅极侧墙；去除MOSFET的假栅叠层以形成栅极开口，以暴露半导体衬底的表面；在半导体的暴露表面上形成界面氧化物层；在栅极开口内的界面氧化物层上形成高K栅介质；在高K栅介质上形成第一金属栅层；在第一金属栅层中注入掺杂离子；以及进行退火以使掺杂离子扩散并聚积在高K栅介质与第一金属栅层之间的上界面和高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处，并且在高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处通过界面反应产生电偶极子。
公开日期	2014-06-05
申请日期	2012-12-07
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/15782]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	徐秋霞,叶甜春,朱慧珑,等. P型MOSFET的制造方法. US9196706. 2015-11-24.