一种双鳍型半导体结构及其制造方法

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	一种双鳍型半导体结构及其制造方法
	朱慧珑; 尹海洲; 骆志炯
	2015-11-25
著作权人	中国科学院微电子研究所 ; 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
专利号	CN201110306988.0
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种半导体结构，包括：衬底，包括半导体层以及位于该半导体层之上的绝缘层；两个半导体鳍片，并行地位于该衬底之上；第一栅极和第二栅极，分别位于所述两个半导体鳍片背离的外侧侧壁的中间区域上；第三栅极，位于所述两个半导体鳍片相邻的内侧侧壁之间；源/漏区，位于分别与所述两个半导体鳍片两端相连接的源/漏结构内；源/漏延伸区，分别位于所述第一栅极和第二栅极两侧的半导体鳍片内；栅介质层，位于所述第一栅极、第二栅极、第三栅极与所述两个半导体鳍片之间；接触层，位于所述源/漏延伸区的侧表面上。本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。本发明有效地减小了双鳍型半导体结构源/漏延伸区的接触电阻，提高了性能。
公开日期	2013-04-17
申请日期	2011-10-11
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14419]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	朱慧珑,尹海洲,骆志炯. 一种双鳍型半导体结构及其制造方法. CN201110306988.0. 2015-11-25.