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科研机构
上海微系统与信息技术... [1]
半导体研究所 [1]
上海技术物理研究所 [1]
内容类型
学位论文 [3]
发表日期
2018 [1]
2010 [1]
2001 [1]
学科主题
光电子学 [1]
半导体器件 [1]
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
红外基础研究 [1]
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InGaN量子阱及薄膜材料特性研究
学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
刘炜
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浏览/下载:169/0
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提交时间:2018/06/20
Ingan
量子阱
薄膜
极化效应
局域态
本底载流子浓度
纳米电子学方法在III-V族半导体光电功能结构中的应用研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
殷豪
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/09/11
扫描探针显微方法
载流子
Ingaas红外探测器
Gan紫外探测器
电子学分布
2μm锑化物激光器、探测器材料、器件及物理
学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2001
林春
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/06
分子束外延
锑化物
激光器
探测器
应变多量子阱
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