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| InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 刘炜
  收藏 | 浏览/下载：169/0 | 提交时间：2018/06/20
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| 纳米电子学方法在III-V族半导体光电功能结构中的应用研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 殷豪
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2012/09/11
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| 器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响 期刊论文
物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8903-8909
作者: 江德生 ; 朱建军; 张书明; 邓懿; 吴亮亮
收藏 | 浏览/下载：29/0 | 提交时间：2011/08/16 |
| Ⅲ-Ⅴ族氮化物射频等离子体MBE及特性研究 成果
鉴定: 无, 2001
齐鸣; 李爱珍; 李伟; 赵智彪; 张永刚; 李存才
收藏 | 浏览/下载：41/0 | 提交时间：2013/04/12 |
| 2μm锑化物激光器、探测器材料、器件及物理 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2001
林春
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2012/03/06
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| n型GaSb、InGaAsSb的MBE生长和特性研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 1996, 期号: 04
郑燕兰; 李爱珍; 王建新; 茹国平; 李存才; 胡建
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2012/03/29 |
| 气态源分子束外延InGaP／GaAs结构及其在异质结双极晶体管中的应用 期刊论文
功能材料与器件学报, 1995, 期号: 02
齐鸣; 李爱珍; 任尧成; 陈建新; 张永刚; 李存才
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2012/03/29 |
