×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [378]
西安光学精密机械... [150]
苏州纳米技术与纳... [131]
厦门大学 [117]
物理研究所 [48]
武汉大学 [43]
更多...
内容类型
期刊论文 [850]
专利 [164]
学位论文 [102]
会议论文 [33]
其他 [3]
会议 [1]
更多...
发表日期
2019 [37]
2018 [70]
2017 [71]
2016 [89]
2015 [71]
2014 [77]
更多...
学科主题
光电子学 [106]
半导体材料 [87]
半导体器件 [48]
半导体物理 [23]
红外基础研究 [8]
Physics [7]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共1157条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
作者升序
作者降序
Growth and properties of Pr3+-doped NaGd(MoO4)2 single crystal: A promising InGaN laser-diode pumped orange-red laser crystal
期刊论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2022, 卷号: 249
作者:
Ren, Hao
;
Li, Hongyuan
;
Zou, Yong
;
Deng, Hengyang
;
Peng, Ziming
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2022/12/22
Czochralski method
Spectroscopic properties
InGaN laser-diodes
Orange-red lasers
Pr
NaGd(MoO4)2
Interfacial modulation and plasmonic effect mediated high-brightness green light sources in a single Ga-doped ZnO microwire based heterojunction
期刊论文
Crystengcomm, 2022, 卷号: 24, 期号: 38, 页码: 6642-6653
作者:
X. J. Liu
;
M. S. Liu
;
R. D. Zhu
;
B. H. Li
;
P. Wan
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2023/06/14
High-concentration Er3+ ion singly doped GaTaO4 single crystal for promising all-solid-state green laser and solid-state lighting applications
期刊论文
CRYSTENGCOMM, 2021
作者:
Ding, Shoujun
;
Ren, Hao
;
Liu, Wenpeng
;
He, Aifeng
;
Tang, Xubing
收藏
  |  
浏览/下载:36/0
  |  
提交时间:2022/02/14
Degradation mechanisms of InGaN/GaN UVA LEDs under swift heavy ion irradiation: role of defects
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 9, 页码: 7
作者:
Wang, Ying-Zhe
;
Zheng, Xue-Feng
;
Lv, Ling
;
Cao, Yan-Rong
;
Wang, Xiao-Hu
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2021/12/08
UVA LED
swift heavy ion irradiation
degradation
defect
low frequency noise
Ultra-broad absorption band of a Dy3+-doped Gd3Sc2Al3O12 garnet crystal at around 450 nm: a potential crystal for InGaN LD-pumped all-solid-state yellow lasers
期刊论文
CRYSTENGCOMM, 2021
作者:
Ding, Shoujun
;
Li, Hongyuan
;
Ren, Hao
;
Tong, Ye
;
Liu, Wenpeng
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2021/08/30
基于激光器结构的InGaN材料发光特性和外延机理研究
学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
彭莉媛
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2021/06/17
The influence of material quality of lower InGaN waveguide layer on the performance of GaN-based laser diodes
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2021, 卷号: 570, 页码: 151132
作者:
Wang, Xiao-Wei
;
Liang, Feng
;
Zhao, De-Gang
;
Chen, Ping
;
Liu, Zong-Shun
;
Yang, Jing
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2022/03/23
Improvement of interface morphology and luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells by thermal annealing treatment
期刊论文
RESULTS IN PHYSICS, 2021, 卷号: 31, 页码: 105057
作者:
Hou, Yufei
;
Liang, Feng
;
Zhao, Degang
;
Liu, Zongshun
;
Chen, Ping
;
Yang, Jing
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2022/03/23
Role of hydrogen treatment during the material growth in improving the photoluminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 卷号: 874, 页码: 159851
作者:
Hou, Yufei
;
Liang, Feng
;
Zhao, Degang
;
Chen, Ping
;
Yang, Jing
;
Liu, Zongshun
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2022/03/28
Carrier recombination dynamics in green InGaN-LEDs with quantum-dot-like structures
期刊论文
Journal of Materials Science, 2021, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 1481-1491
作者:
M. Tian
;
C. Ma
;
T. Lin
;
J. Liu
;
D. N. Talwar
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2022/06/13
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace