QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Amorphous/Crystal Heterostructure Coupled Oxygen Vacancies-Sensitized TiO2 with Conspicuous Charge-Transfer Resonance for Efficient Sers Detection of Chloramphenicol 期刊论文 ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2023 作者:  Quan, Yingnan;  Tang, Xiang-Hu;  Lu, Wenjing;  Huo, Wang;  Song, Zongyin 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2023/11/17 amorphous/crystal heterostructure  charge-transfer resonance  chloramphenicol  oxygen vacancies  SERS   Controlled Growth of Heterostructured Ga/GaAs Nanowires with Sharp Schottky Barrier 期刊论文 CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2018, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 4438-4444 作者:  Wang, Zhou;  Wang, Ying;  Zhou, Xinyuan;  Yang, Zaixing;  Yin, Yanxue 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2018/10/11 Inductively coupled plasma etching in fabrication of 2D InP-based photonic crystals 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 2009, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 1093-1096 Wang HL; Xing MX; Ren G; Zheng WH 收藏  |  浏览/下载：121/0  |  提交时间：2010/03/08 III-V semiconductors  indium compounds  photonic crystals  plasma materials processing  semiconductor lasers  sputter etching   Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416 Hu, GQ; Kong, X; Wan, L; Wang, YQ; Duan, XF; Lu, Y; Liu, XL 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/18 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  HETEROEPITAXIAL GROWTH  ELECTRON-DIFFRACTION  DEFECT STRUCTURE  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY  (111)SI  LAYER   Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423 Hu GQ; Kong X; Wan L; Wang YQ; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous layer  dislocation  transmission electron microscopy  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  HETEROEPITAXIAL GROWTH  ELECTRON-DIFFRACTION  DEFECT STRUCTURE  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY  (111)SI  LAYER