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Electrical and Optoelectrical Dual-Modulation in Perovskite-Based Vertical Field-Effect Transistors
期刊论文
Acs Photonics, 2022, 页码: 10
作者:
Y. T. Zou
;
Y. R. Shi
;
B. Wang
;
M. X. Liu
;
J. R. An
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2023/06/14
Gate-controlled reversible rectifying behaviour in tunnel contacted atomically-thin MoS2 transistor
期刊论文
NATURE PUBLISHING GROUP, 2017, 卷号: 8, 页码: -
作者:
Li, Xiao-Xi
;
Fan, Zhi-Qiang
;
Liu, Pei-Zhi
;
Chen, Mao-Lin
;
Liu, Xin
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
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提交时间:2018/01/10
Perspective analysis of tri gate germanium tunneling field-effect transistor with dopant segregation region at source/drain
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017
Liu, Liang-kui
;
Shi, Cheng
;
Zhang, Yi-bo
;
Sun, Lei
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  |  
浏览/下载:6/0
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提交时间:2017/12/03
ELECTRICAL-PROPERTIES
SCHOTTKY CONTACTS
MOSFETS
SWITCHES
LIMIT
STACK
Schottky Barrier Height Tuning via the Dopant Segregation Technique through Low-Temperature Microwave Annealing
期刊论文
Materials, 2016
作者:
Luo J(罗军)
;
Zhao C(赵超)
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2017/05/09
Simulation and comparative study of tunneling field effect transistors with dopant-segregated Schottky source/drain
其他
2016-01-01
Zhang, Yi Bo
;
Sun, Lei
;
Xu, Hao
;
Han, Jing Wen
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2017/12/03
BARRIER MOSFETS
REDUCTION
DEVICES
LEAKAGE
HEIGHT
DESIGN
MODEL
Simulation and comparative study of tunneling field effect transistors with dopant-segregated Schottky source/drain
期刊论文
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 2016
Zhang, Yi Bo
;
Sun, Lei
;
Xu, Hao
;
Han, Jing Wen
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2017/12/03
BARRIER MOSFETS
REDUCTION
DEVICES
LEAKAGE
HEIGHT
DESIGN
MODEL
半导体器件及其制造方法
专利
专利号: US9012965, 申请日期: 2015-04-21, 公开日期: 2012-07-19
作者:
罗军
;
赵超
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2016/09/19
Comparative study of silicon nanowire transistors with triangular-shaped cross sections
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015
Zhang, Yi-Bo
;
Sun, Lei
;
Xu, Hao
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
SCHOTTKY-BARRIER SOURCE/DRAIN
MOSFET
PERFORMANCE
SIMULATION
FINFETS
LEAKAGE
New concept of planar germanium MOSFET with stacked germanide layers at source/drain
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015
Xu, Hao
;
Sun, Lei
;
Zhang, Yi-Bo
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
HIGH-KAPPA GATE
SCHOTTKY SOURCE/DRAIN
METAL GATE
MOBILITY
CONTACTS
SI
TECHNOLOGY
TRANSISTOR
SUBSTRATE
PMOSFETS
Comparative study of silicon nanowire transistors with triangular-shaped cross sections
其他
2015-01-01
Zhang, Yi-Bo
;
Sun, Lei
;
Xu, Hao
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2017/12/04
SCHOTTKY-BARRIER SOURCE/DRAIN
MOSFET
PERFORMANCE
SIMULATION
FINFETS
LEAKAGE
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