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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhancement Mode (E-Mode) AlGaN/GaN MOSFET With 10(-13) A/mm Leakage Current and 10(12) ON/OFF Current Ratio 期刊论文 ieee electron device letters, 2014 Xu, Zhe; Wang, Jinyan; Cai, Yong; Liu, Jingqian; Jin, Chunyan; Yang, Zhenchuan; Wang, Maojun; Yu, Min; Xie, Bing; Wu, Wengang; Ma, Xiaohua; Zhang, Jincheng; Hao, Yue 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 Post-gate annealing (PGA)  GaN  enhancement mode  MOSFET  ON/OFF current ratio  mesa isolation current  GAN MIS-HEMTS  AL2O3/GAN MOSFET  INTERFACE   Enhancement Mode (E-Mode) AlGaN/GaN MOSFET With 10(-13) A/mm Leakage Current and 10(12) ON/OFF Current Ratio 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 卷号: 35, 期号: 12, 页码: 1200-1202 作者:  Cai, Y (蔡勇) 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2015/02/03 Post-gate annealing (PGA)  GaN  enhancement mode  MOSFET  ON/OFF current ratio  mesa isolation current