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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characterization of Transient Threshold Voltage Shifts in Enhancement-and Depletion-mode AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor (MIS)-HEMTs 会议论文 作者:  Cui, Miao;  Cai, Yutao;  Lam, Sang;  Liu, Wen;  Zhao, Chun 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/26 AlGaN/GaN MIS-HEMTs  Frequency dependence  Frequency independent  High-voltage switching  Metal-insulator-semiconductors  MIS-HEMT  Threshold voltage shifts  Voltage hysteresis   Interface Si donor control to improve dynamic performance of AlGaN/GaN MIS-HEMTs 期刊论文 AIP ADVANCES, 2017 作者:  Song, L;  Fu, K（付凯）;  Zhang, ZL（张志利）;  Sun, SC;  Li, WY 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/02/05 AlGaN/GaN MIS-HEMTs of Very-Low Vth Hysteresis and Current Collapse With In-Situ Pre-Deposition Plasma Nitridation and LPCVD-Si3N4 Gate Insulator 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 作者:  Zhang, Zhili（张志利）;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao（于国浩）;  Zhang, Xiaodong（张晓东） 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/02/05 Au-Free AlGaN/GaN MIS-HEMTs With Embedded Current Sensing Structure for Power Switching Applications 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 3515-3518 作者:  Sun, Ruize;  Liang, Yung C.;  Yeo, Yee-Chia;  Zhao, Cezhou 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/26 high-temperature operation  AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistor (MIS-HEMT)  power converter control  embedded current sensor   High Uniformity Normally-OFF GaN MIS-HEMTs Fabricated on Ultra-Thin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure 期刊论文 IEEE Electron Device Letters, 2016 作者:  Liu XY(刘新宇);  Huang S(黄森);  Wang XH(王鑫华) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/05/08 Investigation of the interface between LPCVD-SiNx gate dielectric and III-nitride for AlGaN/GaN MIS-HEMTs 期刊论文 Journal of Vacuum Science & Technology B, 2016 作者:  Wang XH(王鑫华) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/05/08 High Uniformity Normally-OFF GaN MIS-HEMTs Fabricated on Ultra-Thin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: 12 作者:  Huang, Sen;  Liu, Xinyu;  Wang, Xinhua;  Kang, Xuanwu;  Zhang, Jinhan 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2017/03/11 Normally OFF GaN-on-Si MIS-HEMTs Fabricated With LPCVD-SiNx Passivation and High-Temperature Gate Recess 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2 作者:  Shi, YJ;  Huang, S;  Bao, QL;  Wang, XH;  Wei, K 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2017/03/11 Fabrication of normally-off AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors by photo-electrochemical gate recess etching in ionic liquid 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 8 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Qin, SJ(秦双娇);  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY 收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2017/03/11 Compatibility of AlN/SiNx Passivation With LPCVD-SiNx Gate Dielectric in GaN-Based MIS-HEMT 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: 3 作者:  Hua, MY;  Lu, YY;  Liu, SH;  Liu, C;  Fu, K(付凯) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11