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Effect of heavy ion irradiation on the interface traps of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2022, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 6
作者:
Lin, Zheng-Zhao
;
Lu, Ling
;
Zheng, Xue-Feng
;
Cao, Yan-Rong
;
Hu, Pei-Pei
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2022/04/11
gallium nitride
radiation effects
defects
pulse testing
Fabrication and characterization of normally-off AlGaNGaN HEMTs
学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
Aqdas Fariza
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2021/12/16
Degradation mechanisms of InGaN/GaN UVA LEDs under swift heavy ion irradiation: role of defects
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 9, 页码: 7
作者:
Wang, Ying-Zhe
;
Zheng, Xue-Feng
;
Lv, Ling
;
Cao, Yan-Rong
;
Wang, Xiao-Hu
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2021/12/08
UVA LED
swift heavy ion irradiation
degradation
defect
low frequency noise
Single Event Burnout Hardening of Enhancement Mode HEMTs With Double Field Plates
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 9, 页码: 2358-2366
作者:
Zhen, Zixin
;
Feng, Chun
;
Wang, Quan
;
Niu, Di
;
Wang, Xiaoliang
;
Tan, Manqing
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2022/03/28
Analysis of the back-barrier effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistor on free-standing GaN substrates
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 814, 页码: 6
作者:
X. K. Liu, H. Y. Wang, H. C. Chiu, Y. X. Chen, D. B. Li, C. R. Huang, H. L. Kao, H. C. Kuo and S. W. H. Chen
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2021/07/06
Strong interfacial coupling effects of ferroelectric polarization with two-dimensional electron gas in BaTiO3/MgO/AlGaN/GaN/Si heterostructures
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2019, 卷号: 7, 期号: 19, 页码: 5677
作者:
Li, Guanjie
;
Li, Xiaomin
;
Zhao, Junliang
;
Zhu, Qiuxiang
;
Chen, Yongbo
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2019/12/26
Switching Transient Analysis for Normally-Off GaN Transistors with p-GaN Gate in a Phase-Leg Circuit
期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: 34, 页码: 3711-3728
作者:
Xie, Ruiliang
;
Yang, Xu
;
Xu, Guangzhao
;
Wei, Jin
;
Wang, Yuru
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/11/19
Analytical approach
GaN HEMTs
Junction capacitances
Physical behaviors
Schottky junctions
Switching transient
Terminal measurements
Threshold-voltage instabilities
Defect evolution of oxygen induced Vth-shift for ON-state biased AlGaN/GaN HEMTs (Open Access)
期刊论文
Applied Physics Letters, 2019, 卷号: 115, 期号: 14
作者:
Wang, Rong
;
Xu, Jianxing
;
Zhang, Shiyong
;
Cheng, Zhe
;
Zhang, Lian
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/05
Reactive evaporation of SiOx films for passivation of GaN high-electron-mobility transistors
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 2019, 卷号: 129, 页码: 54-60
作者:
Zhu, Gengchang
;
Liang, Guangda
;
Zhou, Yang
;
Chen, Xiufang
;
Xu, Xiangang
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/12/11
Reactive evaporation
SiOx
Passivation
GaN
HEMTs
Reduced reverse gate leakage current for GaN HEMTs with 3 nm Al/40 nm SiN passivation layer
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: Vol.114 No.1
作者:
Zhang, Sheng
;
Wei, Ke
;
Ma, Xiao-Hua
;
Hou, Bin
;
Liu, Guo-Guo
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/17
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