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Experimental investigation on total-ionizing-dose radiation effects on the electrical properties of SOI-LIGBT 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2021, 卷号: 175, 期号: 1, 页码: 1-7
作者:  Yang, GG (Yang, Guangan)[ 1 ];  Wu, WR (Wu, Wangran)[ 1 ];  Zhang, XY (Zhang, Xingyao)[ 2 ];  Tang, PY (Tang, Pengyu)[ 1 ];  Yang, J (Yang, Jing)[ 1 ]
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Impact of TID on Within-Wafer Variability of Radiation-Hardened SOI Wafers 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 7, 页码: 1423-1429
作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1;  Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1;  Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1;  Li, YD (Li, Yudong) 1;  Lu, W (Lu, Wu) 1
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Measurement and Evaluation of the Within-Wafer TID Response Variability on BOX Layer of SOI Technology 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 10, 页码: 2516-2523
作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1;  Li, YD (Li, Yudong) 1;  Lu, W (Lu, Wu) 1;  He, CF (He, Chengfa) 1;  Guo, Q (Guo, Qi) 1
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The influence of channel width on total ionizing dose responses of the 130 nm H-gate partially depleted SOI NMOSFETs 期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 551-558
作者:  Xi, SX (Xi, Shan-Xue)[ 1,2,3 ];  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen)[ 1,2 ];  Lu, W (Lu, Wu)[ 1,2 ];  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei)[ 1,2 ];  Wei, Y (Wei, Ying)[ 1,2 ]
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130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  席善学
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基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究 期刊论文
核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 47-52
作者:  孙静;  郭旗;  郑齐文;  崔江维;  何承发
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Anomalous electrical properties induced by hot-electron-injection in 130-nm partially depleted soi nmosfets fabricated on modified wafer 期刊论文
Ieee transactions on nuclear science, 2016, 卷号: 63, 期号: 5, 页码: 2731-2737
作者:  Dai, Lihua;  Bi, Dawei;  Ning, Bingxu;  Hu, Zhiyuan;  Song, Lei
收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2019/05/09
The radiation hardness of the nitrogen-fluorine implanted buried oxide layer in silicon-on-insulator materials against higher total dose irradiation. 期刊论文
SCIENCE CHINA Materials, 2016
作者:  Liu ZL(刘忠立);  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊);  Zheng ZS(郑中山)
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Monolithically integrated III-V optoelectronics with SI CMOS 专利
专利号: US9372307, 申请日期: 2016-06-21, 公开日期: 2016-06-21
作者:  BUDD, RUSSELL A.;  LEOBANDUNG, EFFENDI;  LI, NING;  PLOUCHART, JEAN-OLIVIER;  SADANA, DEVENDRA K.
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A High-Voltage (> 600 V) N-Island LDMOS With Step-Doped Drift Region in Partial SOI Technology 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016
Hu, Yue; Wang, Hao; Du, Caixia; Ma, Miaomiao; Chan, Mansun; He, Jin; Wang, Gaofeng
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