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| AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 期刊论文
物理学报, 2020, 卷号: 69, 期号: 12, 页码: 319-327
作者: 刘博阳; 宋文涛; 刘争晖; 孙晓娟; 王开明
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| 半导体激光器及其激光谐振腔、光学限制结构 专利
专利号: CN110323670A, 申请日期: 2019-10-11, 公开日期: 2019-10-11
作者: 刘建平; 江灵荣; 田爱琴; 杨辉
收藏 | 浏览/下载：27/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 基于宽禁带GaN基异质结结构的垂直型高温霍尔传感器 期刊论文
物理学报, 2019, 卷号: 68, 页码: 193-202
作者: 曹亚庆; 黄火林; 孙仲豪; 李飞雨; 白洪亮
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/12/02
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| 含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
李巍
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2017/06/05
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| 半导体激光器及其制备方法 专利
专利号: CN105790072A, 申请日期: 2016-07-20, 公开日期: 2016-07-20
作者: 周坤; 刘建平; 张书明; 李德尧; 张立群
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法 专利
专利号: CN104332545A, 申请日期: 2015-02-04, 公开日期: 2015-02-04
作者: 杨静; 赵德刚; 乐伶聪; 李晓静; 何晓光
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| AlGaN高浓度n型掺杂和硅基异质结制备与物性研究 学位论文
2015
作者: 王威
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/12/05
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| 一种具有极化隧道结的GaN基LED外延片及其制备方法 专利
专利号: CN103855263A, 申请日期: 2014-06-11, 公开日期: 2014-06-11
作者: 贺龙飞; 陈志涛; 刘宁炀; 赵维; 张志清
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| GaN 基 HEMT材料的新结构研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
毕杨
收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2012/05/30
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| 偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析 期刊论文
2010, 2010
薛丽君; 刘明; 王燕; 禡龙; 鲁净; 谢常青; 夏洋; XUE Lijun; LIU Ming; WANG Yan; MA Long; LU Jing; XIE Changqing; XIA Yang
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