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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410484648.0, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2016-04-13
作者: 殷华湘 ; 张永奎; 赵治国; 陆智勇; 朱慧珑
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| 鳍式场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201410838568.0, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-07-27
作者: 许淼; 朱慧珑; 赵利川
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| 一种FinFET结构及其制造方法 专利
专利号: CN201410459571.1, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2016-03-16
作者: 尹海洲; 刘云飞; 李睿
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| 一种CMOS结构及其制造方法 专利
专利号: CN201410459563.7, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2016-03-16
作者: 李睿; 刘云飞; 尹海洲
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| 一种FinFET结构及其制造方法 专利
专利号: CN201410459357.6, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2016-04-06
作者: 李睿; 尹海洲; 刘云飞
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410454224.X, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-04-06
作者: 殷华湘; 秦长亮; 马小龙; 王桂磊; 朱慧珑
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| 鳍式场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201410525045.0, 申请日期: 2018-07-13, 公开日期: 2016-05-11
作者: 殷华湘; 秦长亮; 马小龙; 王桂磊; 朱慧珑
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| 一种MOSFET结构及其制造方法 专利
专利号: CN201310339819.6, 申请日期: 2018-01-30, 公开日期: 2015-02-11
作者: 尹海洲; 张珂珂
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| 一种非对称超薄SOIMOS晶体管结构及其制造方法 专利
专利号: CN201310478396.6, 申请日期: 2018-01-09, 公开日期: 2015-04-29
作者: 尹海洲; 张珂珂
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| 氮化镓器件ESD防护性能研究 学位论文
2018
作者: 孙健
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