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| 基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器 专利
专利号: 2019211668132, 申请日期: 2020-06-05,
作者: 陆文强; 张昆; 付勰; 康帅; 冯双龙
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| PbS量子点Si-APD红外探测器 专利
专利号: 2019211670471, 申请日期: 2020-03-31,
作者: 陆文强; 张昆; 付勰; 康帅; 冯双龙
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2020/08/25 |
| 一种基于石墨烯量子点的微测辐射热计 专利
专利号: 2016105690765, 申请日期: 2019-03-05,
作者: 申钧 ; 魏兴战; 冯双龙; 魏大鹏; 杨俊
收藏 | 浏览/下载：26/0 | 提交时间：2019/03/05 |
| 含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件 专利
专利号: CN107910388A, 申请日期: 2018-04-13, 公开日期: 2018-04-13
作者: 王庶民; 芦鹏飞; 梁丹; 张立瑶
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 一种多孔/量子点复合结构红外探测器单元及制备方法 专利
专利号: 2016105677722, 申请日期: 2017-11-07,
作者: 冯双龙; 魏兴战; 申钧; 杨俊; 陆仕荣
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2018/03/16 |
| InP基量子点量子级联探测器研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
王风娇
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2017/05/31
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| GaAs基长波长量子结构及InAs量子点红外探测器研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘珂
收藏 | 浏览/下载：25/0 | 提交时间：2016/06/01
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| 基于InAs/GaAs量子点-石墨烯复合结构的肖特基光电探测器研究 期刊论文
红外, 2016, 卷号: 37, 页码: 10-15,28
作者: 甘桃[1]; 杜磊[2]; 刘昌龙[3]; 李梁[4]; 陈刚[5]
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/04/26
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| InGaAs量子阱光电材料的辐射效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者: 王海娇
收藏 | 浏览/下载：30/0 | 提交时间：2015/06/15
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| InGaAs量子阱光电材料的辐射损伤效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2015
作者: 王海娇
收藏 | 浏览/下载：31/0 | 提交时间：2015/06/15
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