| 含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件 | |
| 王庶民; 芦鹏飞; 梁丹; 张立瑶 | |
| 2018-04-13 | |
| 著作权人 | 超晶科技(北京)有限公司 |
| 专利号 | CN107910388A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件 |
| 英文摘要 | 本发明涉及含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件，含铋氮化合物的半导体材料组成通式为InN1‑xBix，其中，0 |
| 公开日期 | 2018-04-13 |
| 申请日期 | 2017-06-30 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92188]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 超晶科技(北京)有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王庶民,芦鹏飞,梁丹,等. 含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件. CN107910388A. 2018-04-13. |
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