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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2004 [1]
2001 [1]
1999 [2]
1998 [1]
1995 [1]
1993 [1]
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Amorphous silicon carbide films prepared by H-2 diluted silane-methane plasma
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 7-12
Hu ZH
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Kong GL
;
Zeng XB
;
Xu YY
收藏
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浏览/下载:32/3
  |  
提交时间:2010/03/09
annealing
The microstructure and its high-temperature annealing behaviours of a-Si : O : H film
期刊论文
acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 12, 页码: 2418-2422
Wang YQ
;
Chen CY
;
Chen WD
;
Yang FH
;
Diao HW
收藏
  |  
浏览/下载:82/6
  |  
提交时间:2010/08/12
a-Si : O : H
nc-Si
microstructure
annealing
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AMORPHOUS SIO2
OPTICAL-PROPERTIES
SILICON
Comparative study of the structural properties of nanocrystalline ge : h plasma deposited onto the cathode and the anode using high hydrogen dilutions
期刊论文
Thin solid films, 1999, 卷号: 346, 期号: 1-2, 页码: 91-95
作者:
Poulsen, PR
;
Wang, MX
;
Xu, J
;
Li, W
;
Chen, KJ
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Chemical vapour deposition
Germanium
Nanostructures
Structural properties
Comparative study of the structural properties of nanocrystalline Ge : H plasma deposited onto the cathode and the anode using high hydrogen dilutions
期刊论文
thin solid films, 1999, 卷号: 346, 期号: 1-2, 页码: 91-95
Poulsen PR
;
Wang MX
;
Xu J
;
Li W
;
Chen KJ
;
Wang GH
;
Feng D
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2010/08/12
chemical vapour deposition
germanium
nanostructures
structural properties
AMORPHOUS-SILICON
GERMANIUM
CRYSTALLINE
DISCHARGE
CELL
POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS
Study of microstructure of high stability hydrogenated amorphous silicon films by Raman scattering and infrared absorption spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 3, 页码: 336-338
Sheng SR
;
Liao XB
;
Kong GL
;
Han HX
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/08/12
A-SI-H
CRYSTALLINE SILICON
DEPOSITION
SPECTRA
QUALITY
PHOTOINDUCED CHANGES OF HYDROGEN-BONDING IN SEMIINSULATING IRON-DOPED INDIUM-PHOSPHIDE
期刊论文
solid state communications, 1995, 卷号: 95, 期号: 12, 页码: 851-854
PAJOT B
;
SONG CY
;
DARWICH R
;
GENDRON F
;
EWELS C
收藏
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浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2010/11/17
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
OPTICAL PROPERTIES
LIGHT ABSORPTION
ELECTRON-PARAMAGNETIC-RESONANCE
CRYSTALLINE SILICON
MOLECULAR-HYDROGEN
GALLIUM-ARSENIDE
INP
COMPLEXES
LEVEL
EFFECT OF TOTAL HYDROGEN CONTENT IN SILICON-NITRIDE SENSITIVE FILM ON PERFORMANCE OF ISFET
期刊论文
sensors and actuators b-chemical, 1993, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 23-27
CHEN KM
;
LI GH
;
LU HY
;
CHEN LX
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/11/15
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