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I-2(11/2) and F-4(3/2) -> I-2(13/2) transitions">GaAs Q-switched Nd:CNGG lasers: operating at F-4(3/2) -> I-2(11/2) and F-4(3/2) -> I-2(13/2) transitions
期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2019, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 15426-15432
作者:
Pan, Han
;
Pan, Zhongben
;
Chu, Hongwei
;
Li, Ying
;
Zhao, Shengzhi
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/11
Heterostructure ReS2/GaAs Saturable Absorber Passively Q-Switched Nd:YVO4 Laser
期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2019, 卷号: 14
作者:
Liu, Lijie
;
Chu, Hongwei
;
Zhang, Xiaodong
;
Pan, Han
;
Zhao, Shengzhi
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/11
Q-switching lasers
Two-dimensional nanomaterials
Saturable absorbers
Transitions between Be acceptor levels in GaAs bulk
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2019, 卷号: 68, 期号: 18
作者:
Zheng Wei-Min
;
Huang Hai-Bei
;
Li Su-Mei
;
Cong Wei-Yan
;
Wang Ai-Fang
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/11
far-infrared absorption spectrum
Raman spectrum
photoluminescence
spectrum
energy state structure of Be acceptor
Bismuth functionalized GaAs as saturable absorber for passive Q-switching at 1.34 μm
期刊论文
Optical Materials, 2019, 卷号: 98
作者:
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/11
Heterostructure ReS2/GaAs Saturable Absorber Passively Q-Switched Nd:YVO4 Laser
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2019, 卷号: 14
作者:
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/11
Raman spectrum study of delta-doped GaAs/AlAs multiple-quantum wells
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 1
作者:
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/11
coupled mode
Raman spectrum
delta-doped GaAs/AlAs multiple quantum
wells
Nonlinear optical property of a Bi-doped GaAs semiconductor saturable absorber
期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2018, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 8542-8549
作者:
Xu, Ruiheng
;
Zhao, Shengzhi
;
Yang, Kejian
;
Li, Guiqiu
;
Li, Tao
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/11
Chalcogen passivation: an in-situ method to manipulate the morphology and electrical property of GaAs nanowires
期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2018, 卷号: 8
作者:
Yang, Zai-xing
;
Yin, Yanxue
;
Sun, Jiamin
;
Bian, Luozhen
;
Han, Ning
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/11
Controlled Growth of Heterostructured Ga/GaAs Nanowires with Sharp Schottky Barrier
期刊论文
CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2018, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 4438-4444
作者:
Wang, Zhou
;
Wang, Ying
;
Zhou, Xinyuan
;
Yang, Zaixing
;
Yin, Yanxue
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/11
GaAs Nanowires Grown by Catalyst Epitaxy for High Performance Photovoltaics
期刊论文
CRYSTALS, 2018, 卷号: 8, 期号: 9
作者:
Wang, Ying
;
Zhou, Xinyuan
;
Yang, Zaixing
;
Wang, Fengyun
;
Han, Ning
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/11
GaAs nanowires
catalyst epitaxy
photovoltaics
optical absorption
Schottky barrier
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