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半导体研究所 [20]
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光电子学 [20]
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学科主题:光电子学
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Ohmic contact to n-type Ge with compositional Ti nitride
期刊论文
applied surface science, 2013, 卷号: 284, 页码: 877-880
H D Wu, W Huang, W F Lu, R F Tang, C Li, H K Lai, S Y Chen, and C L Xue
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2014/05/08
Mid Wavelength Type II InAs/GaSb Superlattice Photodetector Using SiOxNy Passivation
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2012, 卷号: 51, 期号: 7,part 1, 页码: 74002
Huang, JL
;
Ma, WQ
;
Cao, YL
;
Wei, Y
;
Zhang, YH
;
Cui, K
;
Deng, GR
;
Shi, YL
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/02/25
How to Use Type II InAs/GaSb Superlattice Structure to Reach Detection Wavelength of 2-3 mu m
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 2012, 卷号: 48, 期号: 10, 页码: 1322-1326
Huang JL (Huang, Jianliang)
;
Ma WQ (Ma, Wenquan)
;
Wei Y (Wei, Yang)
;
Zhang YH (Zhang, Yanhua)
;
Cui K (Cui, Kai)
;
Cao YL (Cao, Yulian)
;
Guo XL (Guo, Xiaolu)
;
Shao J (Shao, Jun)
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2013/03/26
Narrow-band long-/very-long wavelength two-color type-II InAs/GaSb superlattice photodetector by changing the bias polarity
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 17, 页码: 173511
Zhang, YH
;
Ma, WQ
;
Wei, Y
;
Cao, YL
;
Huang, JL
;
Cui, K
;
Guo, XL
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/03/17
Structure, Stress State and Piezoelectric Property of GaN Nanopyramid Arrays
期刊论文
applied physics express, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: article no.45001
Liu JQ
;
Wang JF
;
Gong XJ
;
Huang J
;
Xu K
;
Zhou TF
;
Zhong HJ
;
Qiu YX
;
Cai DM
;
Ren GQ
;
Yang H
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浏览/下载:72/3
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提交时间:2011/07/05
OUTPUT VOLTAGE
NANOWIRES
NANOGENERATORS
GROWTH
A practical route towards fabricating GaN nanowire arrays
期刊论文
crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 19, 页码: 5929-5935
Liu, JQ
;
Huang, J
;
Gong, XJ
;
Wang, JF
;
Xu, K
;
Qiu, YX
;
Cai, DM
;
Zhou, TF
;
Ren, GQ
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2012/02/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
WELL NANOROD ARRAYS
ULTRAVIOLET-LIGHT
GROWTH
NANOGENERATORS
DISLOCATIONS
BRIGHTNESS
LAYERS
Very long wavelength quantum dot infrared photodetector using a modified dots-in-a-well structure with AlGaAs insertion layers
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.103507
作者:
Wei Y
;
Huo YH
;
Zhang YH
;
Huang JL
;
Ma WQ
收藏
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浏览/下载:67/4
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提交时间:2011/07/06
MU-M
DETECTOR
TEMPERATURE
GROWTH
Forward bias voltage controlled infrared photodetection and electroluminescence from a p-i-n quantum dot structure
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 2, 页码: 23502
Cui K
;
Ma WQ
;
Zhang YH
;
Huang JL
;
Wei Y
;
Cao YL
;
Jin Z
;
Bian LF
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/02/06
DETECTOR
Two-color In0.4Ga0.6As/Al0.1Ga0.9As quantum dot infrared photodetector with double tunneling barriers
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.103501
作者:
Cui K
;
Wei Y
;
Huo YH
;
Zhang YH
收藏
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浏览/下载:52/2
  |  
提交时间:2011/07/06
Long Wavelength Infrared InAs/GaSb Superlattice Photodetectors with InSb-Like and Mixed Interfaces
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 2011, 卷号: 47, 期号: 12, 页码: 1475-1479
Zhang, YH
;
Ma, WQ
;
Cao, YL
;
Huang, JL
;
Wei, Y
;
Cui, K
;
Shao, J
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/02/06
InAs/GaSb
interfaces
long wavelength infrared photodetector
type II superlattice
DETECTORS
GROWTH
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