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科研机构
半导体研究所 [41]
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期刊论文 [35]
会议论文 [6]
发表日期
2011 [3]
2008 [2]
2006 [5]
2005 [5]
2004 [2]
2003 [6]
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学科主题
半导体材料 [41]
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学科主题:半导体材料
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Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311
作者:
Xu B
;
Zhou GY
;
Ye XL
;
Zhang HY
收藏
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浏览/下载:53/5
  |  
提交时间:2011/07/05
SELF-ORGANIZED ISLANDS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACES
EMISSION
DENSITY
SIZE
GaN grown with InGaN as a weakly bonded layer
期刊论文
crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1580-1585
作者:
Wei HY
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:63/4
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SI(001) SUBSTRATE
STRAIN
EPITAXY
Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: article no.16108
Wang B
;
Li ZC
;
Yao R
;
Liang M
;
Yan FW
;
Wang GH
收藏
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浏览/下载:93/5
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提交时间:2011/07/05
GaN-based
LED
Al composition
electron blocking layer
TEMPERATURE
ALLOYS
MOVPE
Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269
作者:
Yang H
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Yang H
;
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:182/43
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提交时间:2010/03/08
Cathodoluminescence
MOCVD
AlGaN
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/03/09
GAS SENSORS
HEMT STRUCTURES
MOBILITY
TEMPERATURE
TRANSISTORS
GROWTH
MOCVD
LAYER
High uniformity of self-organized InAs quantum wires on InAlAs buffers grown on misoriented InP(001)
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 12, 页码: art.no.123104
作者:
Ye XL
;
Jin P
收藏
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浏览/下载:77/0
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提交时间:2010/04/11
NANOWIRES
THRESHOLD
WELLS
INP
MBE InAs quantum dots grown on metamorphic InGaAs for long wavelength emitting
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 194-198
Jiao YH (Jiao Y. H.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Hu LJ (Hu L. J.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/04/11
metamorphic
long wavelength
quantum dots
molecular beam epitaxy
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
1.3 MU-M
GAAS
EMISSION
RANGE
ISLANDS
ARRAYS
LASERS
Characteristic of rapid thermal annealing on GaIn(N)(Sb)As/GaAs quantum well grown by molecular-beam epitaxy
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: art.no.034903
作者:
Xu YQ
收藏
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浏览/下载:121/0
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提交时间:2010/04/11
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
OPTICAL-PROPERTIES
LASERS
NITROGEN
ORIGIN
Synthesis of GaN nanorods with vertebra-like morphology
会议论文
ieee international conference of nano/micro engineered and molecular systems, zhuhai, peoples r china, jan 18-21, 2006
Gao, HY (Gao, Haiyong)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
收藏
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浏览/下载:112/30
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提交时间:2010/03/29
GaN nanorods
Ga2O3/ZnO films
nitritding
morphology
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FILMS
Molecular beam epitaxy InAs dot arrays on InGaAs/GaAs
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5846-5850
Jiao YH (Jiao Y. H.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Hu LJ (Hu L. J.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Ren YY (Ren Y. Y.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:105/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
QUANTUM-DOTS
SELF-ORGANIZATION
ISLANDS
NANOSTRUCTURES
SUPERLATTICES
GROWTH
SURFACE
GAAS(100)
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