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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Synthesis and Transport Properties of Degenerate P-Type Nb-Doped WS Monolayers 期刊论文 Chemistry of Materials, 2019, 卷号: Vol.31 No.9, 页码: 3534-3541 作者:  Jin, YY;  Zeng, ZY;  Xu, ZW;  Lin, YC;  Bi, KX 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/13 Short channel monolayer MoS2 field-effect transistors defined by SiOx nanofins down to 20nm 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: Vol.30 No.29 作者:  Bi, KX;  Liu, HZ;  Chen, YQ;  Luo, F;  Shu, ZW 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17 short channel devices  hydrogen silsesquioxane (HSQ) electron resists  large area preparation   Direct electron- beam patterning of transferrable plasmonic gold nanoparticles using a HAuCl4/ PVP composite resist 期刊论文 NANOSCALE, 2019, 卷号: Vol.11 No.3, 页码: 1245-1252 作者:  Bi, KX;  Chen, YQ;  Wan, Q;  Ye, T;  Xiang, Q 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/17 Short channel monolayer MoS2 field-effect transistors defined by SiOx nanofins down to 20nm 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: Vol.30 No.29 作者:  Bi, KX;  Liu, HZ;  Chen, YQ;  Luo, F;  Shu, ZW 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/17 short channel devices  hydrogen silsesquioxane (HSQ) electron resists  large area preparation