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辐射导致CMOS图像传感器暗电流随机电报信号（英文）
期刊论文
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2143-2150
作者:
刘炳凯1,2,3,4
;
李豫东1,2,3
;
文林1,2,3
;
周东1,2,3
;
郭旗1,2,3
收藏
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浏览/下载：38/0
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提交时间：2022/03/07
CMOS图像传感器
位移损伤效应
电离总剂量效应
暗电流随机电报信号
高能质子辐照导致电荷耦合器件性能退化研究
期刊论文
现代应用物理, 2021, 卷号: 12, 期号: 3, 页码: 147-152
作者:
李钰1
;
文林2
;
周东2
;
李豫东2
;
郭旗2
收藏
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浏览/下载：28/0
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提交时间：2021/11/29
高能质子
位移损伤效应
电荷耦合器件
非电离能损
热像素
背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
张翔
收藏
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浏览/下载：21/0
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提交时间：2020/11/19
背照式CMOS 图像传感器
总剂量效应
位移损伤效应
InGaAs单结太阳电池辐射效应机理研究
学位论文
北京: 中国科学院大学, 2019
作者:
慎小宝
收藏
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浏览/下载：201/0
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提交时间：2019/07/15
In0.53Ga0.47As单结太阳电池
高注量电子
低能质子
位移损伤
退火效应
InGaAs单结太阳电池辐射效应机理研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
慎小宝
收藏
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浏览/下载：21/0
|
提交时间：2019/07/15
In0.53Ga0.47As单结太阳电池
高注量电子
低能质子
位移损伤
退火效应
CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析
期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 44-48
作者:
于新
;
荀明珠
;
郭旗
;
何承发
;
李豫东
收藏
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浏览/下载：43/0
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提交时间：2019/07/29
位移损伤效应
非电离能量损失
CCD
CMOS
高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制
期刊论文
发光学报, 2019, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 1115-1122
作者:
慎小宝
;
李豫东
;
玛丽娅·黑尼
;
赵晓凡
;
莫敏·赛来
收藏
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浏览/下载：50/0
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提交时间：2019/11/27
InGaAs单结太阳电池
高注量电子
位移损伤
载流子寿命
载流子去除效应
1 MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响
期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 3, 页码: 61-67
作者:
王志铭
;
周东
;
李豫东
;
文林
;
马林东
收藏
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浏览/下载：22/0
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提交时间：2019/11/18
HgCdTe
光伏器件
暗电流
电子辐照
辐射效应
位移损伤
空间用四结键合太阳能电池子电池辐射效应研究
学位论文
北京: 中国科学院大学, 2018
作者:
赵晓凡
收藏
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浏览/下载：12/0
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提交时间：2018/07/06
四结键合太阳能电池
位移损伤
少子扩散长度
辐射效应
空间用四结键合太阳能电池子电池辐射效应研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2018
作者:
赵晓凡
收藏
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浏览/下载：17/0
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提交时间：2018/07/06
四结键合太阳能电池
位移损伤
少子扩散长度
辐射效应
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