1 MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响

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	1 MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响
	王志铭 ; 周东 ; 李豫东; 文林 ; 马林东 ; 张翔 ; 郭旗
刊名	现代应用物理
	2019
卷号	10 期号:3 页码:61-67
关键词	HgCdTe 光伏器件暗电流电子辐照辐射效应位移损伤
ISSN号	2095-6223
英文摘要	在室温下开展了1 MeV电子对HgCdTe光伏器件的辐照试验,通过比较电子辐照前、后及室温退火后器件的I-V特性与零偏动态电阻R0,分析了电子辐照对HgCdTe光伏器件暗电流及R0的影响机制。结果表明,随着电子吸收剂量的增加,HgCdTe光伏器件的暗电流减小,R0增大。室温退火后,HgCdTe光伏器件的暗电流和R0均有明显恢复。分析认为,电子辐照在HgCdTe光伏器件中产生位移损伤,在P区中引入大量的施主型缺陷,使P区空穴浓度迅速下降,少数载流子寿命增加,从而导致暗电流减小,R0增大。
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/7142]
专题	固体辐射物理研究室
作者单位	1.中国科学院大学 2.中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王志铭,周东,李豫东,等. 1 MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响[J]. 现代应用物理,2019,10(3):61-67.
APA	王志铭.,周东.,李豫东.,文林.,马林东.,...&郭旗.(2019).1 MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响.现代应用物理,10(3),61-67.
MLA	王志铭,et al."1 MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响".现代应用物理 10.3(2019):61-67.