CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析 | |
于新; 荀明珠; 郭旗![]() ![]() ![]() | |
刊名 | 现代应用物理
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2019 | |
卷号 | 10期号:2页码:44-48 |
关键词 | 位移损伤效应 非电离能量损失 CCD CMOS |
ISSN号 | 2095-6223 |
英文摘要 | 对位移损伤敏感器件CCD及CMOS图像传感器进行了3,10,23 MeV质子辐照试验,获得了电荷转移效率及暗电流退化程度分别随非电离能量损失(NIEL)变化的线性关系,验证了基于NIEL的位移损伤等效方法的可行性。为准确预测抗辐射加固工程中,器件屏蔽结构带来的能量崎离、次级粒子等非理想因素对器件参数退化的影响,利用Geant4计算了不同质子能量下的NIEL值。结果表明,随着质子能量降低,计算得到的NIEL值与解析法给出的理想NIEL值的差异增大。因此,对于结构复杂的器件,有必要建立器件结构模型,以便准确计算NIEL。 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/6303] ![]() |
专题 | 新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室 |
作者单位 | 1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 2.中国科学院新疆理化技术研究所 3.新疆电子信息材料与器件重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 于新,荀明珠,郭旗,等. CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析[J]. 现代应用物理,2019,10(2):44-48. |
APA | 于新.,荀明珠.,郭旗.,何承发.,李豫东.,...&周东.(2019).CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析.现代应用物理,10(2),44-48. |
MLA | 于新,et al."CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析".现代应用物理 10.2(2019):44-48. |
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