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10MeV质子辐射效应对基于8T-CMOS星敏感器性能影响研究(英文)
期刊论文
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2135-2142
作者:
冯婕1,2
;
李豫东1,2
;
傅婧1,2,3
;
文林1,2
;
郭旗1,2
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浏览/下载:117/0
  |  
提交时间:2022/03/07
时空数据
可视分析
网吧记录
共现群体
辐射导致CMOS图像传感器暗电流随机电报信号(英文)
期刊论文
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2143-2150
作者:
刘炳凯1,2,3,4
;
李豫东1,2,3
;
文林1,2,3
;
周东1,2,3
;
郭旗1,2,3
收藏
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浏览/下载:37/0
  |  
提交时间:2022/03/07
CMOS图像传感器
位移损伤效应
电离总剂量效应
暗电流随机电报信号
高能质子辐照导致电荷耦合器件性能退化研究
期刊论文
现代应用物理, 2021, 卷号: 12, 期号: 3, 页码: 147-152
作者:
李钰1
;
文林2
;
周东2
;
李豫东2
;
郭旗2
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2021/11/29
高能质子
位移损伤效应
电荷耦合器件
非电离能损
热像素
8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究(英文)
期刊论文
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2128-2134
作者:
傅婧1,2,3
;
李豫东1,2
;
冯婕1,2
;
文林1,2
;
郭旗1,2
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2022/01/25
CMOS图像传感器
钳位光电二极管
质子辐照
电离总剂量
位移损伤剂量
高墩大跨度连续刚构桥典型施工阶段地震损伤分析
期刊论文
振动与冲击, 2020, 期号: 2020-22, 页码: 89-95
作者:
石岩
;
张奋杰
;
韩建平
;
李军
;
秦洪果
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2020/12/18
连续刚构桥
施工阶段
近断层地震动
增量动力分析(IDA)
地震反应
地震损伤
背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
张翔
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2020/11/19
背照式CMOS 图像传感器
总剂量效应
位移损伤效应
稀氮(Ga(In)AsN)材料的位移损伤效应研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
雷琪琪
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2020/11/19
稀氮
Ga(In)AsN材料
光致发光
辐射损伤效应
退火
空间辐射环境下 SiC MOSFET 的栅氧可靠性研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
梁晓雯
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2020/11/19
SiC MOSFET
栅氧可靠性
总剂量效应
单粒子效应
潜损伤
安全工作区
不同储液率大型储油罐的地震动响应
期刊论文
甘肃科技, 2020, 期号: 2020-05, 页码: 52-54
作者:
颉鸿翼
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2020/12/18
储液率
储油罐
地震动
动力响应
碎屑流冲击棚洞机理及缓冲垫层效应研究
学位论文
北京: 中国科学院大学, 2020
作者:
宋跃
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2021/01/18
碎屑流
冲击
棚洞
垫层
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