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Gallium Nitride Normally-Off Vertical Field-Effect Transistor Featuring an Additional Back Current Blocking Layer Structure 期刊论文
ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8
作者:  Huang, Huolin;  Li, Feiyu;  Sun, Zhonghao;  Sun, Nan;  Zhang, Feng
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/12/02
一种用于水下机器人的自容式示位灯标及其控制方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN105698101A, 申请日期: 2016-06-22,
作者:  马振波;  刘健;  赵宏宇;  徐会希;  许以军
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/09/07
一种用于水下机器人的自容式示位灯标及其控制方法 专利
专利类型: 发明授权, 专利号: CN105698101B, 申请日期: 2016-06-22, 公开日期: 2018-01-23
作者:  许以军;  马振波;  刘健;  赵宏宇;  徐会希
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/04/04
High Uniformity Normally-OFF GaN MIS-HEMTs Fabricated on Ultra-Thin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: 12
作者:  Huang, Sen;  Liu, Xinyu;  Wang, Xinhua;  Kang, Xuanwu;  Zhang, Jinhan
收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2017/03/11
Performance enhancement of normally-off Al2O3/AlN/GaN MOS-Channel-HEMTs with an ALD-grown AlN interfacial layer 其他
2014-01-01
Liu, Shenghou; Yang, Shu; Tang, Zhikai; Jiang, Qimeng; Liu, Cheng; Wang, Maojun; Chen, Kevin J.
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/17
Normally-Off Hybrid Al2O3/GaN MOSFET on Silicon Substrate Based on Wet-Etching 其他
2014-01-01
Wang, Maojun; Wang, Ye; Zhang, Chuan; Wen, Cheng P.; Wang, Jinyan; Hao, Yilong; Wu, Wengang; Shen, Bo; Chen, Kevin J.
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13
Optically controlled quantum dot gated transistors with high on/off ratio 期刊论文
Applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 8, 页码: 3
作者:  Yang, Xiaohong;  Xu, Xiulai;  Wang, Xiuping;  Ni, Haiqiao;  Han, Qin
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12
Optically controlled quantum dot gated transistors with high on/off ratio 期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 8, 页码: art. no. 083503
Yang XH (Yang Xiaohong); Xu XL (Xu Xiulai); Wang XP (Wang Xiuping); Ni HQ (Ni Haiqiao); Han Q (Han Qin); Niu ZC (Niu Zhichuan); Williams DA (Williams David A.)
收藏  |  浏览/下载：68/2  |  提交时间：2010/04/22
DKDP晶体光学特性及频率转换技术研究 学位论文
作者:  崔子健
收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2018/12/26

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