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Monolithic RGB Micro-Light-Emitting Diodes Fabricated with Quantum Dots Embedded inside Nanoporous GaN
期刊论文
ACS Applied Electronic Materials, 2021, 卷号: 3, 期号: 11, 页码: 4877-4881
作者:
Song, Jie
;
Kang, Jin-Ho
;
Han, Jung
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浏览/下载:77/0
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提交时间:2021/11/22
micro-LEDs
GaN
quantum dots
nanoporous
electroluminescence
Degradation mechanisms of InGaN/GaN UVA LEDs under swift heavy ion irradiation: role of defects
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 9, 页码: 7
作者:
Wang, Ying-Zhe
;
Zheng, Xue-Feng
;
Lv, Ling
;
Cao, Yan-Rong
;
Wang, Xiao-Hu
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2021/12/08
UVA LED
swift heavy ion irradiation
degradation
defect
low frequency noise
Plasmon-enabled spectrally narrow ultraviolet luminescence device using Pt nanoparticles covered one microwire-based heterojunction
期刊论文
Optics Express, 2021, 卷号: 29, 期号: 14, 页码: 21783-21794
作者:
K. Ma
;
B. Li
;
X. Zhou
;
M. Jiang
;
Y. Liu and C. Kan
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2022/06/13
Large-Area Monolayer MoS2Nanosheets on GaN Substrates for Light-Emitting Diodes and Valley-Spin Electronic Devices
期刊论文
ACS Applied Nano Materials, 2021, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 12127-12136
作者:
P. Yang
;
H. Yang
;
Z. Wu
;
F. Liao
;
X. Guo
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2022/06/13
Large-Area Monolayer MoS2 Nanosheets on GaN Substrates for Light-Emitting Diodes and Valley-Spin Electronic Devices
期刊论文
Acs Applied Nano Materials, 2021, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 12127-12136
作者:
P. Yang
;
H. F. Yang
;
Z. Y. Wu
;
F. Y. Liao
;
X. J. Guo
收藏
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提交时间:2023/06/14
Improving performance of semipolar (202¯1) light emitting diodes through reduction of threading dislocations by AlGaN/GaN superlattice interlayer
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2020, 卷号: 536
作者:
Song, Jie
;
Choi, Joowon
;
Han, Jung
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2020/03/12
Gallium nitride
Dislocations
Metalorganic chemical vapor deposition
Superlattice
Light emitting diodes
Polarity Control and Nanoscale Optical Characterization of AlGaN-Based Multiple-Quantum-Wells for Ultraviolet C Emitters
期刊论文
ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2020, 卷号: 3, 期号: 6, 页码: 5335-5342
作者:
Xu, Houqiang
;
Jiang, Jie'an
;
Dai, Yijun
;
Cui, Mei
;
Li, Kuang-hui
收藏
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2020/12/16
LIGHT-EMITTING-DIODES
GAN GROWTH
PARAMETERS
WATER
On the Luminescence Properties and Surface Passivation Mechanism of III- and N-Polar Nanopillar Ultraviolet Multiple-Quantum-Well Light Emitting Diodes
期刊论文
MICROMACHINES, 2020, 卷号: 11, 期号: 6
作者:
Sheikhi, Moheb
;
Dai, Yijun
;
Cui, Mei
;
Li, Liang
;
Liu, Jianzhe
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2020/12/16
NITRIDE
PERFORMANCE
ALGAN/GAN
Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48
作者:
Guo, Wei
;
Xu, Houqiang
;
Chen, Li
;
Yu, Huabin
;
Jiang, Jie'an
收藏
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浏览/下载:127/0
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提交时间:2020/12/16
INVERSION DOMAIN BOUNDARIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
C-GAN DOMAINS
GALLIUM NITRIDE
N-POLARITY
2ND-HARMONIC GENERATION
SURFACE-MORPHOLOGY
GAAS FILMS
GROWTH
ALN
Demonstration of ohmic contact using MoOx/Al on p-GaN and the proposal of a reflective electrode for AlGaN-based DUV-LEDs
期刊论文
OPTICS LETTERS, 2020, 卷号: 45, 期号: 8, 页码: 2427-2430
作者:
Li, Liang
;
Cui, Mei
;
Shao, Hua
;
Dai, Yijun
;
Chen, Li
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2020/12/16
DEEP-UV LEDS
REALIZATION
RESISTANCE
GROWTH
LAYER
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