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科研机构
半导体研究所 [53]
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期刊论文 [51]
会议论文 [2]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2008 [5]
2007 [2]
2004 [1]
2002 [1]
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学科主题
半导体物理 [53]
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共53条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Peng HW (Peng Haowei)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
;
Wang LW (Wang Lin-Wang)
;
Wei SH (Wei Su-Huai)
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/12/27
IMPURITIES
GAAS1-XNX
NITROGEN
GAINNAS
STATES
TRAPS
Quantum mechanical simulation of nanosized metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using empirical pseudopotentials: A comparison for charge density occupation methods
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 8, 页码: art.no.084510
Jiang XW (Jiang Xiang-Wei)
;
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Luo JW (Luo Jun-Wei)
;
Wang LW (Wang Lin-Wang)
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浏览/下载:159/62
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提交时间:2010/03/08
ELECTRONIC-STRUCTURE
A ministop band in a single-defect photonic crystal waveguide based on silicon on insulator
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 228-231
Tang, HX
;
Zuo, YH
;
Yu, JZ
;
Wang, QM
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浏览/下载:54/6
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提交时间:2010/03/08
photonic bandgap
photonic crystal waveguide
silicon-on-insulator
ministop band
Structure and magnetic characteristics of nonpolar a-plane GaN : Mn films
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 16, 页码: art. no. 165004
Sun, LL
;
Yan, FW
;
Gao, HY
;
Zhang, HX
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Li, JM
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/03/08
P-TYPE GAN
SAPPHIRE
PROPERTY
A fully three-dimensional atomistic quantum mechanical study on random dopant-induced effects in 25-nm MOSFETs
期刊论文
ieee transactions on electron devices, 2008, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 1720-1726
Jiang, XW
;
Deng, HX
;
Luo, JW
;
Li, SS
;
Wang, LW
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浏览/下载:153/1
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提交时间:2010/03/08
dopant fluctuation
linear combination of bulk band (LCBB)
MOSFET
quantum mechanical
threshold
3-D
Multiple valley couplings in nanometer Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: art. no. 124507
Deng, HX
;
Jiang, XW
;
Luo, JW
;
Li, SS
;
Xia, JB
;
Wang, LW
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浏览/下载:65/5
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提交时间:2010/03/08
SIMULATION
MOSFETS
SUPERLATTICES
REGIME
LIMIT
Influence of AlN Buffer Thickness on GaN Grown on Si(111) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy with Ammonia
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4097-4100
Lin, GQ
;
Zeng, YP
;
Wang, XL
;
Liu, HX
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/03/08
RHEED
INTERLAYER
PRESSURE
NITRIDES
LAYERS
MBE
The growth of high-Al-content InAlGaN quaternary alloys by RF-MBE
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 765-768
Wang BZ
;
Wang XL
;
Wang XY
;
Guo LC
;
Wang XH
;
Xiao HL
;
Liu HX
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/03/29
LIGHT-EMITTING-DIODES
Effects of the wave function localization in AlInGaN quaternary alloys
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 6, 页码: art.no.061125
Wang, F (Wang, Fei)
;
Li, SS (Li, Shu-Shen)
;
Xia, JB (Xia, Jian-Bai)
;
Jiang, HX (Jiang, H. X.)
;
Lin, JY (Lin, J. Y.)
;
Li, J (Li, Jingbo)
;
Wei, SH (Wei, Su-Huai)
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/03/29
SPECIAL QUASIRANDOM STRUCTURES
Preferred growth of nanocrystalline silicon in boron-doped nc-Si : H Films
期刊论文
vacuum, 2004, 卷号: 74, 期号: 1, 页码: 69-75
Wei WS
;
Wang TM
;
Zhang CX
;
Li GH
;
Han HX
;
Ding K
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提交时间:2010/03/09
hydrogenated nanocrystalline silicon film
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