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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2016     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 异质结太阳能电池及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102738290B, 申请日期: 2016-06-29, 作者:  郑新和;  吴渊源;  张东炎;  李雪飞;  陆书龙 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/11/25 GaAs隧道结及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN103367480B, 申请日期: 2016-04-27, 作者:  甘兴源;  郑新和;  吴渊渊;  王海啸;  王乃明 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/03/13 一种基于热光伏电池的单片连接组件的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN103066159B, 申请日期: 2016-04-27, 作者:  谭明;  陆书龙;  季莲;  何巍;  代盼 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/03/13 Effects of patterned substrate on quality of high indium content InGaN grown by molecular beam epitaxy (MBE) 期刊论文 Cailiao Daobao/Materials Review, 2016 作者:  Li, Baoji;  Wu, Yuanyuan;  Lu, Shulong(陆书龙);  Zhang, Jijun 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/03/11 Investigation of room-temperature wafer bonded GaInP/GaAs/InGaAsP triple-junction solar cells 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 卷号: 389 作者:  Yang, WX(杨文献);  Dai, P(代盼);  Ji, L(季莲);  Tan, M;  Wu, YY(吴渊渊) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2017/03/11 Effect of thermal annealing on electron spin relaxation of beryllium-doped In0.8Ga0.2As0.45P0.55 bulk 期刊论文 AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 8 作者:  Wu, H;  Ji, L;  Harasawa, R;  Yasue, Y;  Aritake, T 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2017/03/11 Room-temperature wafer bonded InGaP/GaAs//InGaAsP/InGaAs four-junction solar cell grown by all-solid state molecular beam epitaxy 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 1 作者:  Dai, P(代盼);  Lu, SL(陆书龙);  Uchida, SR;  Ji, L(季莲);  Wu, YY(吴渊渊) 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2017/03/11 Effects of buffer layer and back-surface field on MBE-grown InGaAsP/InGaAs solar cells 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 55, 期号: 2 作者:  Wu, YY;  Ji, L(季莲);  Dai, P(代盼);  Tan, M(谭明);  Lu, SL(陆书龙) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/03/11 Effects of Ultrathin AlAs Interfacial Layer on Photoluminescence Properties of GaInP Epilayer Grown on Ge 期刊论文 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 卷号: 45, 期号: 1 作者:  Chen, JX(陈俊霞);  He, W;  Jia, SP;  Jiang, DS;  Lu, SL(陆书龙) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/03/11 Initial heteroepitaxial growth and characterization of GaAs on Ge (100) by all-solid-source molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2016, 卷号: 35, 期号: 2 作者:  He, W;  Lu, SL(陆书龙);  Yang, H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/11