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| Uniformity Improvement of 1T1R RRAM with Gate Induced Resistive Switching 期刊论文
Electron Device Letters, 2014
作者: Liu HT(刘宏涛); Lv HB(吕杭炳) ; Yang BH(杨保和); Xu XX(许晓欣); Liu RY(刘若愚)
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| Set statistics in conductive bridge random access memory device 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014
作者: Li Y(李阳); Liu Q(刘琦); Lv HB(吕杭炳); Xu XX(许晓欣); Liu M(刘明)
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2015/04/14 |
| An overview of the switching parameter variation of RRAM 期刊论文
Chin. Sci. Bull., 2014
作者: Wang GM(王国明); Sun PX(孙鹏霄); Sun HT(孙海涛); Liu Q(刘琦); Lv HB(吕杭炳)
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| Multilevel unipolar resistive switching with negative differential resistance effect in Ag/SiO2/Pt device 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2014, 期号: 116, 页码: 154509-1
作者: Long SB(龙世兵); Lv HB(吕杭炳); writan; Banerjee; Liu M(刘明)
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2015/04/14 |
| 天门市农业害鼠发生动态与防控策略 期刊论文
中国植保导刊, 2014, 期号: 08, 页码: 44-47
作者: 张民主; 郭少波; 陶齐成; 李明福; 张琴
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| Thermoelectric Seebeck effect in oxide-based resistive switching memory 期刊论文
Nature Communications, 2014
作者: Liu Q(刘琦); Long SB(龙世兵); Wang M(王明); Li L(李泠); Lv HB(吕杭炳)
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2015/04/14 |
| Thermally assisted magnetic switching of a single perpendicularly magnetized layer induced by an in-plane current 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014
作者: Liu M(刘明); Long SB(龙世兵); Liu Q(刘琦); Yao ZH(姚志宏); Li L(李泠)
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2015/04/14 |
| Direct Observation of Conversion between Threshold Switching and Memory Switching Induced by Conductive Channel Morphology 期刊论文
Advanced Funcitonal Materials, 2014, 期号: 36, 页码: 5679-5686
作者: Liu Q(刘琦); Lv HB(吕杭炳); Bi C(毕冲); Huo ZL(霍宗亮); Li L(李泠)
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2015/04/14 |
| Tunable periodic graphene antidot lattices fabricated by e-beam lithography and oxygen ion etching 期刊论文
VACUUM, 2014, 卷号: 105, 页码: 21
Liu, LZ; Tian, SB; Long, YZ; Li, WX; Yang, HF; Li, JJ; Gu, CZ
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2015/04/14
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| Study of the set statistical characteristics in the Cu/HfO2/Pt-based RRAM device 会议论文
Guilin, 2014-10-28
作者:
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2016/10/14 |
