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Suppression of Filament Overgrowth in Conductive Bridge Random Access Memory by TaO/TaO Bi-Layer Structure. 期刊论文
Nanoscale research letters, 2019, 卷号: Vol.14 No.1, 页码: 111
作者:  Danian Dong;  Xiulong Wu;  Tiancheng Gong;  Ming Liu;  Hangbing Lv
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Uniform, Fast, and Reliable LixSiOy-Based Resistive Switching Memory 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 卷号: 40, 期号: 4
作者:  Zhao, Xiaolong;  Zhang, Xumeng;  Shang, Dashan;  Wu, Zuheng;  Xiao, Xiangheng
收藏  |  浏览/下载:31/0  |  提交时间:2019/12/05
Recommended Methods to Study Resistive Switching Devices 期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 1
作者:  Lanza, Mario;  Wong, H-S Philip;  Pop, Eric;  Ielmini, Daniele;  Strukov, Dimitri
收藏  |  浏览/下载:95/0  |  提交时间:2019/12/18
40×Retention Improvement by Eliminating Resistance Relaxation with High Temperature Forming in 28 nm RRAM Chip 会议论文
作者:  Xu XX(许晓欣);  Tai L(台路);  Gong TC(龚天成);  Yin JH(殷嘉浩);  Peng Huang
收藏  |  浏览/下载:34/0  |  提交时间:2019/05/13
A CMOS Compatible, Forming Free TaON-based ReRAM with Low Soft Errors and Good Retention 会议论文
作者:  Tai L(台路);  Xu XX(许晓欣);  Yuan P(袁鹏);  Yu J(余杰);  Luo Q(罗庆)
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非挥发性阻变存储器件及其制备方法 专利
专利号: US10134983, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-08-11
作者:  刘琦;  刘明;  孙海涛;  张科科;  龙世兵
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Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory 期刊论文
Chinese Physics B, 2018
作者:  Liu J(刘璟);  Xu XX(许晓欣);  Chen CB(陈传兵);  Gong TC(龚天成);  Yu ZA(余兆安)
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一种自选通阻变存储器件及其制备方法 专利
专利号: CN201610282626.5, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2016-08-03
作者:  吕杭炳;  刘明;  许晓欣;  罗庆;  刘琦
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一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器 专利
专利号: CN201610258335.2, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-07-20
作者:  吕杭炳;  刘明;  刘琦;  龙世兵
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Classification of Three-Level Random Telegraph Noise and Its Application in Accurate Extraction of Trap Profiles in Oxide-Based Resistive Switching Memory 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2018
作者:  Gong TC(龚天成);  Xu XX(许晓欣);  Yu J(余杰);  Dong DN(董大年);  Lv HB(吕杭炳)
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