Study of the set statistical characteristics in the Cu/HfO2/Pt-based RRAM device

	Study of the set statistical characteristics in the Cu/HfO2/Pt-based RRAM device
	Sun PX(孙鹏霄); Wang M(王明); Liu HT(刘红涛); Xu XX(许晓欣); Li Y(李阳); Wang GM(王国明); Long SB(龙世兵); Liu M(刘明); Zhang MY(张美芸); Lv HB(吕杭炳)
	2014
会议日期	2014-10-28
会议地点	Guilin
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16028]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Sun PX,Wang M,Liu HT,et al. Study of the set statistical characteristics in the Cu/HfO2/Pt-based RRAM device[C]. 见:. Guilin. 2014-10-28.