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| 垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利号: CN110071424A, 申请日期: 2019-07-30, 公开日期: 2019-07-30
作者: 郭炳磊; 王群; 葛永晖; 吕蒙普; 胡加辉
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| 一种电流导引型VCSEL 专利
专利号: CN208272356U, 申请日期: 2018-12-21, 公开日期: 2018-12-21
作者: 王智勇; 周广正; 李颖; 兰天
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| 一种电流导引型VCSEL及其制备方法 专利
专利号: CN108539577A, 申请日期: 2018-09-14, 公开日期: 2018-09-14
作者: 王智勇; 周广正; 李颖; 兰天
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| 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 专利
专利号: JP2016213486A, 申请日期: 2016-12-15, 公开日期: 2016-12-15
作者: 近藤 崇
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| Quantum cascade laser element 专利
专利号: EP2747221A1, 申请日期: 2014-06-25, 公开日期: 2014-06-25
作者: HIRAYAMA, HIDEKI; LIN, TSUNG-TSE
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| 一种半导体量子点子能级发光器件 专利
专利号: CN102957093A, 申请日期: 2013-03-06, 公开日期: 2013-03-06
作者: 刘惠春; 傅爱兵
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| InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法 专利
专利号: CN101685942A, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31
作者: 劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 刘成; 曹萌
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| Vertical cavity surface emitting laser diode having a high reflective distributed Bragg reflector 专利
专利号: US7330495, 申请日期: 2008-02-12, 公开日期: 2008-02-12
作者: TAKAHASHI, MITSUO
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| InP基板上的Ⅱ－Ⅵ/Ⅲ－Ⅴ多层结构 专利
专利号: CN1965452A, 申请日期: 2007-05-16, 公开日期: 2007-05-16
作者: 孙晓光; 托马斯·J·米勒; 迈克尔·A·哈斯
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| 采用调制掺杂量子阱结构的阵列式半导体激光器 专利
专利号: CN1871751A, 申请日期: 2006-11-29, 公开日期: 2006-11-29
作者: G·W·泰勒; S·邓肯
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