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半导体研究所 [17]
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期刊论文 [16]
会议论文 [1]
发表日期
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专题:半导体研究所
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Highly efficient photoluminescence of Er2SiO5 films grown by reactive magnetron sputtering method
期刊论文
journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 3, 页码: 411-414
作者:
Xue CL
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/04/05
Erbium silicate
Photoluminescence
Si photonics
WAVE-GUIDE AMPLIFIERS
CRYSTALLINE FILMS
ERBIUM SILICATE
ENERGY-TRANSFER
SI
ER3+
EXCITATION
Diffractive microlens with a cascade focal plane fabricated by single mask UV-photolithography and common KOH:H2O etching
期刊论文
journal of micromechanics and microengineering, 2010, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: art. no. 105029
Zhang XY (Zhang Xinyu)
;
Li H (Li Hui)
;
Liu K (Liu Kan)
;
Luo J (Luo Jun)
;
Xie CS (Xie Changsheng)
;
Ji A (Ji An)
;
Zhang TX (Zhang Tianxu)
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/11/02
OPTICAL-ELEMENTS
DESIGN
SILICON
ARRAYS
LENSES
Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111)
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299
Wu, JJ
;
Zhao, LB
;
Zhang, GY
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
;
Jia, QJ
;
Guo, LP
;
Hu, TD
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浏览/下载:69/3
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
TEMPERATURE ALN INTERLAYERS
PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACTANT
SUBSTRATE
STRESS
SI
REDUCTION
SAPPHIRE
The study of high temperature annealing of a-SiC : H films
期刊论文
advanced materials forum iii, 2006, 卷号: pts 1 and 2 514-516, 期号: 0, 页码: 18-22
Zhang S
;
Hu Z
;
Raniero L
;
Liao X
;
Ferreira I
;
Fortunato E
;
Vilarinho P
;
Perreira L
;
Martins R
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/04/11
silicon carbide
high temperature annealing
thin film
SILICON
PECVD
Enhancement of 1.53 mu m photoluminescence from spin-coated Er-Si-O (Er2SiO5) crystalline films by nitrogen plasma treatment
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 1, 页码: 178-182
Wang XX
;
Zhang JG
;
Cheng BW
;
Yu JZ
;
Wang QM
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浏览/下载:71/0
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提交时间:2010/04/11
photoluminescence
spin-coating
rare earth compounds
MU-M
SILICON
ERBIUM
ZNO
In0.25Ga0.75As growth on low-temperature thin buffer layers formed on GaAs (001) substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 126-130
作者:
Xu B
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/08/12
dislocation
interfaces
strain
molecular beam epitaxy
semiconductor IIIV materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SURFACE-MORPHOLOGY
TECHNOLOGY
GAAS(001)
BEHAVIOR
SI
Influence of high-temperature AIN buffer thickness on the properties of GaN grown on Si(111)
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1-2, 页码: 34-40
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:299/12
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提交时间:2010/08/12
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
semiconductor III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-QUALITY GAN
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
INTERMEDIATE LAYER
ALAS
ALN
SURFACES
SILICON
FILMS
The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91-98
Lu YA
;
Liu XL
;
Lu DC
;
Yuan HR
;
Hu GQ
;
Wang XH
;
Wang ZG
;
Duan XF
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/08/12
Si(111) substrate
heteroepitaxy
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
LIGHT-EMITTING-DIODES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
NUCLEATION LAYERS
BUFFER LAYER
SILICON
SAPPHIRE
NITRIDE
EPITAXY
STRESS
STRAIN
Comprehensive analysis of microtwins in the 3C-SiC films on Si(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 40-44
Zheng XH
;
Qu B
;
Wang YT
;
Dai ZZ
;
Han JY
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:98/10
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
chemical vapor deposition processes
silicon carbide
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
GROWTH
GAN
SI
DEFECTS
EPITAXY
LAYERS
MBE
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
metalorganic chemical vapor deposition
cubic GaN
hexagonal phase content
4-circle X-ray double crystal diffraction
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
THIN-FILMS
SILICON
GAAS
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