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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Stable single-mode distributed feedback quantum cascade laser with surface metal grating 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 38, 页码: 5 作者:  Zhang, W.;  Wang, L. J.;  Zhang, J. C.;  Zhang, Q. D.;  Li, L. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Stable single-mode distributed feedback quantum cascade laser with surface metal grating 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 38, 页码: art. no. 385103 Zhang W (Zhang W.); Wang LJ (Wang L. J.); Zhang JC (Zhang J. C.); Zhang QD (Zhang Q. D.); Li L (Li L.); Liu JQ (Liu J. Q.); Liu FQ (Liu F. Q.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：110/14  |  提交时间：2010/10/11 CONTINUOUS-WAVE  MU-M  OPERATION   Spin-hall effect in the generalized honeycomb lattice with rashba spin-orbit interaction 期刊论文 Physics letters a, 2009, 卷号: 373, 期号: 23-24, 页码: 2091-2096 作者:  Liu, Guocai;  Wang, Zhigang;  Li, Shu-Shen 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Graphene  Spin-hall effect  Topology   Spin-Hall effect in the generalized honeycomb lattice with Rashba spin-orbit interaction 期刊论文 physics letters a, 2009, 卷号: 373, 期号: 23-24, 页码: 2091-2096 Liu GC; Wang ZG; Li SS 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/08 Graphene  Spin-Hall effect  Topology   Luminescence properties of multi-layer ingan quantum dots grown on c- and r-plane sapphire substrates 期刊论文 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 314-318 作者:  Chen, Z;  Chua, SJ;  Han, PD;  Liu, XL 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Ingan  Quantum dots  Photoluminescence   Luminescence properties of multi-layer InGaN quantum dots grown on C- and R-plane sapphire substrates 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 314-318 Chen, Z; Chua, SJ; Han, PD; Liu, XL; Lu, DC; Zhu, QS; Wang, ZG; Tripathy, S 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/03/17 GaN   The structure and current-voltage characteristics of multi-sheet ingan quantum dots grown by a new multi-step method 期刊论文 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 19-24 作者:  Chen, Z;  Lu, DC;  Han, P;  Liu, XL;  Wang, XH 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanostructures  Metalorganic chemical vapor deposition  Nitrides   A new method to fabricate ingan quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 188-194 作者:  Chen, Z;  Lu, DH;  Yuan, HR;  Han, P;  Liu, XL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanostructures  Metalorganic chemical vapor deposition  Nitrides   The structure and current-voltage characteristics of multi-sheet InGaN quantum dots grown by a new multi-step method 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 19-24 Chen Z; Lu DC; Han P; Liu XL; Wang XH; Li YF; Yuan HR; Lu Y; Bing LD; Zhu QS; Wang ZG; Wang XF; Yan L 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  SELF-ORGANIZED GROWTH  EPITAXIAL-GROWTH  GAAS  GAN  PHOTOLUMINESCENCE  SURFACTANT  ALGAAS  WIRE   A new method to fabricate InGaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 188-194 Chen Z; Lu DH; Yuan HR; Han P; Liu XL; Li YF; Wang XH; Lu Y; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：101/11  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  GAN BUFFER LAYER  EPITAXIAL-GROWTH  PHASE EPITAXY  SURFACES  TEMPERATURE  DEPENDENCE  MODE  WIRE