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Fabrication and characterization of normally-off AlGaNGaN HEMTs 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  Aqdas Fariza
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2021/12/16
Single Event Burnout Hardening of Enhancement Mode HEMTs With Double Field Plates 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 9, 页码: 2358-2366
作者:  Zhen, Zixin;   Feng, Chun;   Wang, Quan;   Niu, Di;   Wang, Xiaoliang;   Tan, Manqing
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2022/03/28
(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
闫俊达
收藏  |  浏览/下载：438/0  |  提交时间：2017/06/05
Impact of dual field plates on drain current degradation in InAlN/AlN/GaN HEMTs 期刊论文
semiconductor science and technology, 2016, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 125003
Wei Li; Quan Wang; Xiangmi Zhan; Junda Yan; Lijuan Jiang; Haibo Yin; Jiamin Gong; Xiaoliang Wang; Fengqi Liu; Baiquan Li; Zhanguo Wang
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/10
Impact of CHF3 Plasma Treatment on AlGaN/GaN HEMTs Identified by Low-Temperature Measurement 期刊论文
chinese physics letters, 2014, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 048501
Du, YD; Han, WH; Yan, W; Yang, FH
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/04/02
Analysis of transconductance characteristic of AlGaN/GaN HEMTs with graded AlGaN layer 期刊论文
european physical journal-applied physics, 2014, 卷号: 66, 期号: 2, 页码: 20101
Qu, SQ; Wang, XL; Xiao, HL; Hou, X; Wang, CM; Jiang, LJ; Feng, C; Chen, H; Yin, HB; Peng, EC; Kang, H; Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/04/02
Dynamic Characterizations of AlGaN/GaN HEMTs With Field Plates Using a Double-Gate Structure 期刊论文
ieee electron device letters, 2013, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 217-219
Yu, Guohao; Wang, Yue; Cai, Yong; Dong, Zhihua; Zeng, Chunhong; Zhang, Baoshun
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/10/08
Analysis of the ohmic contacts of Ti/Al/Ni/Au to AlGaN/GaN HEMTs by the multi-step annealing process 期刊论文
journal of semiconductors, 2012, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 064005
Yan, Wei; Zhang, Renping; Du, Yandong; Han, Weihua; Yang, Fuhua
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/04/22
The influence of the 1st aln and the 2nd gan layers on properties of algan/2nd aln/2nd gan/1st aln/1st gan structure 期刊论文
Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216
作者:  Bi, Yang;  Wang, XiaoLiang;  Yang, CuiBai;  Xiao, HongLing;  Wang, CuiMei
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12
The influence of the ingan back-barrier on the properties of al0.3ga0.7n/aln/gan/ingan/gan structure 期刊论文
European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 5
作者:  Bi, Y.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Peng, E. C.
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12

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