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半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2006 [2]
2003 [2]
2001 [2]
1998 [1]
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Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
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浏览/下载:80/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Comparison and combination of several stress relief methods for cubic boron nitride films deposited by ion beam assisted deposition
期刊论文
surface & coatings technology, 2009, 卷号: 203, 期号: 10-11, 页码: 1452-1456
作者:
Tan HR
;
Zhang XW
;
You JB
;
Fan YM
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浏览/下载:262/33
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提交时间:2010/03/08
Cubic boron nitride
Stress relaxation
Ion beam assisted deposition
Fourier transformed infrared spectroscopy
Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:83/0
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提交时间:2010/04/11
nitrides
multiple quantum wells
cracks
dislocations
vacancies x-ray diffraction
X-RAY-DIFFRACTION
EDGE DISLOCATIONS
GAN
FILMS
SUPERLATTICES
RELAXATION
STRAIN
Strain evolution in GaN layers grown on high-temperature AlN interlayers
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 15, 页码: art.no.152105
Wang JF (Wang J. F.)
;
Yao DZ (Yao D. Z.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
STRESS EVOLUTION
DEFECT STRUCTURE
EPITAXIAL GAN
THIN-FILMS
ALGAN
DISLOCATIONS
RELAXATION
REDUCTION
Stress and its effect on optical properties of GaN epilayers grown on Si(111), 6H-SiC(0001), and c-plane sapphire
期刊论文
applied physics letters, 2003, 卷号: 83, 期号: 4, 页码: 677-679
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:1038/2
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提交时间:2010/08/12
VAPOR-PHASE EPITAXY
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
RAMAN-SCATTERING
ALPHA-GAN
ALN
LAYERS
STRAIN
WURTZITE
FILMS
Abnormal effect of growth interruption on GaSb quantum dots formation grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 99-104
Luo XD
;
Xu ZY
;
Wang YQ
;
Wang WX
;
Wang JN
;
Ge WK
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/08/12
growth interruption
molecular beam epitaxy
quantum dots
GaSb
WELLS
Ion bombardment as the initial stage of diamond film growth
期刊论文
Journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: 1983-1985
作者:
Liao, MY
;
Qin, FG
;
Zhang, JH
;
Liu, ZK
;
Yang, SY
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Ion bombardment as the initial stage of diamond film growth
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: 1983-1985
Liao MY
;
Qin FG
;
Zhang JH
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Wang ZG
;
Lee ST
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
BIAS-ENHANCED NUCLEATION
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
BEAM DEPOSITION
MECHANISM
SILICON
SPECTROSCOPY
Rapid thermal annealing processing of GaN epilayer on sapphire(0 0 0 1)
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 186, 期号: 1-2, 页码: 298-301
Li XB
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Yoon SF
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LIGHT-EMITTING-DIODES
EPITAXIAL-GROWTH
LAYERS
GAAS
FILMS
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