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Synthesis and characterization of GaN nanowires by ammoniating Ga2O3/Cr thin films deposited on Si(1 1 1) substrates 期刊论文
2010, 卷号: 256, 期号: 16, 页码: 4883-4887
作者:  Shi, Feng[1];  Wang, Zouping[1];  Xue, Chengshan[1]
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Synthesis and characterization of GaN nanowires by ammoniating Ga2O3/Cr thin films deposited on Si(111) substratesSCI被引量：SCI原文链接 期刊论文
2010, 卷号: 256, 期号: 16, 页码: 4883-4887
作者:  Shi, Feng[1];  Wang, Zouping[1];  Xue, Chengshan[1]
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/28
Synthesis of GaN nanowires by ammoniation of Ga2O3 films on Nb layer deposited on Si(1 1 1) substratesSCI被引量：SCI原文链接 期刊论文
2010, 卷号: 13, 期号: 3, 页码: 205-208
作者:  Wang, Jie[1];  Zhuang, Hui-zhao[1];  Li, Bao-li[1];  Li, Jun-lin[1]
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氨化温度对氨化Si基Ga2O3／Cr膜制备GaN纳米结构的影响 期刊论文
2009, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 595-597
作者:  王邹平[1];  薛成山[1];  庄惠照[1];  王英[1];  张冬冬[1]
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/04
Effect of ammoniating temperature of Ga2O3/Cr films on fabrication of GaN nanostructure on Si substrates 期刊论文
2009, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 595-597+601
作者:  Wang, Zou-Ping[1];  Xue, Cheng-Shan[1];  Zhuang, Hui-Zhao[1];  Wang, Ying[1];  Zhang, Dong-Dong[1]
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/04
氨化Si基Ga2O3/V膜制备GaN纳米线（英文） 期刊论文
2009, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 377-379
作者:  杨兆柱;  薛成山;  庄慧照;  王公堂;  陈金华
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Fabrication and photoluminescence of GaN nanorods by ammoniating Ga2O3 films deposited on Co-coated Si(111) substrates 期刊论文
2009, 卷号: 404, 期号: 2, 页码: 190-193
作者:  Qin, Lixia[1];  Xue, Chengshan[2];  Duan, Yifeng[1];  Shi, Liwei[1]
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Fabrication of GaN nanowires by ammoniating Ga2O3/NiCl2 films deposited on Si substrates 期刊论文
2009, 卷号: 484, 期号: 1-2, 页码: 33-35
作者:  Xue, Chengshan[1];  Wang, Ying[1];  Zhuang, Huizhao[1];  Wang, Zouping[1];  Huang, Yinglong[1]
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/28
Growth of GaN nanorods prepared by ammoniating Ga2O3/ZnO films on Si substrates and their properties: Structure, morphology, chemical state and photoluminescence 期刊论文
2008, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 828-832
作者:  Zhuang, Huizhao[1];  Xue, Shoubin[2];  Zhang, Shiying[1];  Hu, Lijun[1];  Li, Baoli[1]
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Fabrication, morphology, and photoluminescence properties of GaN nanowires and nanorods by ammoniating Ga2O3/V films on Si(1 1 1) 期刊论文
2008, 卷号: 254, 期号: 13, 页码: 4166-4170
作者:  Yang, Zhaozhu[1];  Xue, Chengshan[1];  Zhuang, Huizhao[1];  Qin, Lixia[1];  Chen, Jinhua[1]
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